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| Parametrics | IDH06G65C6 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 1.15 |
| I(FSM) max | 38 A |
| IF max | 6 A |
| IR | 0.6 µA |
| Ptot max | 54 W |
| Package | TO-220 real 2pin |
| QC | 9.6 nC |
| Qualification | Industrial |
| RthJC | 1.7 K/W |
| VDC min | 650 V |
| VF | 1.25 V |
无与伦比的效率和性价比
CoolSiC™ 肖特基二极管650V G6是英飞凌针对SiC肖特基势垒二极管的领先技术，充分利用了SiC相对于硅的所有优势。英飞凌专有的创新焊接工艺与更紧凑的设计、薄晶圆技术和新型肖特基金属系统相结合。其结果是，在所有负载条件下，产品系列的效率都得到了提高，这得益于一流的品质因数（Q c x V F）。
功能概述
最低电压F:1.25V
同类最佳品质因数（Q c x V F）
无反向恢复费用
与温度无关的开关行为
高dv/dt耐用性
优化的热性能
优势
在所有负载条件下提高系统效率
提高了系统功率密度
降低了冷却需求，提高了系统可靠性
实现极快的切换
与CoolMOS轻松有效匹配™ 7个家庭
最佳性价比
应用
服务器
电信
PC电源
太阳的
照明
