人工智能服务器和电信中的安全热插拔操作需要具有稳健线性操作模式和低R DS（on）的MOSFET。英飞凌通过新的OptiMOS™5线性FET 2解决了这一挑战，该MOSFET旨在在沟槽MOSFET的R DS（on）和经典平面MOSFET的宽安全工作区（SOA）之间实现理想的权衡。该装置通过限制高涌入电流来防止对负载的损坏，并由于其低R DS（on）而确保在运行过程中损失最小。

与上一代（OptiMOS线性FET）相比，OptiMOS线性FET2在高温下提供了改进的SOA，降低了栅极漏电流，并提供了更广泛的封装。这允许每个控制器并联连接更多的MOSFET，降低物料清单（BOM）成本，并由于扩展的产品组合而提供更大的设计灵活性。

100 V OptiMOS 5线性FET 2采用TO无引线封装（TOLL），与具有类似R DS（on）的标准OptiMOS 5相比，在10 ms时54 V的SOA高出12倍，在100µs时SOA高出3.5倍。后一种改进对于电池管理系统（BMS）内发生短路事件时进行的电池保护尤为重要。在此类事件中，并联MOSFET之间的电流分布对系统设计和可靠性至关重要。

OptiMOS 5线性FET 2具有优化的传输特性，可改善均流。考虑到宽SOA和改善的均流，在由短路电流要求决定元件数量的设计中，元件数量最多可减少60%。

这使得电池保护具有高功率密度、效率和可靠性，可用于广泛的应用，包括电动工具、电动自行车、电动滑板车、叉车、电池备份单元和电池驱动的车辆。