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| Parametrics | BSC026N08NS5 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 1.27 |
| Ciss | 5200 pF |
| Coss | 840 pF |
| ID (@25°C) max | 100 A |
| IDpuls max | 400 A |
| Mounting | SMD |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 156 W |
| Package | SuperSO8 5x6 |
| Pin Count | 8 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 74 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 2.6 mΩ |
| Rth | 0.8 K/W |
| RthJA max | 50 K/W |
| VDS max | 80 V |
| VGS(th) min max | 3 V 2.2 V 3.8 V |
OptiMOS™用于电信应用的5功率MOSFET 80V
OptiMOS™ 5 80V功率MOSFET，特别设计用于电信和服务器电源的同步整流。此外，该装置还可用于其他工业应用，如太阳能、低压驱动器和适配器。在七种不同的封装中，OptiMOS™ 5个80 V MOSFET提供业界最低的RDS（开）。此外，与上一代相比，OptiMOS™ 5 80 V具有高达43%的RDS（开启）降低。
功能概述
针对同步整流进行了优化
适用于高开关频率
输出电容降低高达44%
RDS（开启）比上一代减少了43%
优势
最高的系统效率
降低了开关和传导损耗
所需并联更少
功率密度增加
低压过冲
应用
电信
服务器
太阳的
低压驱动器
适配器
