| Parametrics | IR21814S |
|---|---|
| Channels | 2 |
| Configuration | High-side low-side |
| Input Vcc min max | 10 V 20 V |
| Isolation Type | Functional levelshift |
| Output Current (Sink) | 2.3 A |
| Output Current (Source) | 1.9 A |
| Turn Off Propagation Delay | 220 ns |
| Turn On Propagation Delay | 180 ns |
| VBS UVLO (On) | 8.9 V |
| VBS UVLO (Off) | 8.2 V |
| VCC UVLO (On) | 8.9 V |
| VCC UVLO (Off) | 8.2 V |
| Voltage Class | 600 V |
600 V高侧和低侧栅极驱动器IC
用于IGBT和MOSFET的14引线SOIC封装中的600 V高低压侧驱动器IC，具有典型的1.9 A源极和2.3 A漏极电流。还提供14导联PDIP、8导联SOIC和8导联PDIP。
对于采用SOI技术的新版本，我们推荐2ED21814S06J，提供集成自举二极管、更好的鲁棒性和更高的开关频率
功能概述
为引导操作设计的浮动通道
完全工作至+600 V
耐受负瞬态电压
dV/dt免疫
栅极驱动电源范围从10到20 V
两个通道的欠电压锁定
3.3 V和5 V输入逻辑兼容
两个信道的匹配传播延迟逻辑和电源接地+/-5 V偏移
更低的di/dt栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
输出源/汇电流能力1.4A/1.8A
应用
家用电器
电机控制和驱动
机器人
家庭和楼宇自动化
工业加热和焊接
电动工具
电源
不间断电源（UPS）
