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| Parametrics | IPB042N10N3 G |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 1.12 |
| Ciss | 6320 pF |
| Coss | 1210 pF |
| ID (@25°C) max | 137 A |
| IDpuls max | 400 A |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot max | 214 W |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 88 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 4.2 mΩ |
| Rth | 0.7 K/W |
| VDS max | 100 V |
| VGS(th) min max | 2.7 V 2 V 3.5 V |
英飞凌100V OptiMOS™ 功率MOSFET为高效率、高功率密度SMPS提供了卓越的解决方案。与第二好的技术相比，该系列在R DS（on）和FOM（品质因数）方面都减少了30%。
功能概述
出色的切换性能
全球最低R DS（开）
非常低的Q g和Q gd
优秀的栅极电荷x R DS（on）产品（FOM）
符合RoHS标准，无卤素
MSL1额定值2
优势
环境友好型
提高了效率
最高功率密度
所需并联更少
最小的板空间消耗
易于设计的产品
应用
交直流开关电源的同步整流
48V–80V系统（即家用车辆、电动工具、卡车）的电机控制
隔离DC-DC转换器（电信和数据通信系统
48V系统中的开关和断路器
D类音频放大器
不间断电源（UPS）
