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- mos管封装-SOP封装-8脚贴片mos管引脚-竟业电子
- mos管封装是什么
MOS管封装是mos管在制作完成后，给他加一个外壳；
此外壳作用：支撑+保护+冷却+隔离+电气连接；
MOS管安装在PCB上方式：插入式+表面贴装式
插入式：MOS管管脚穿过PCB安装孔焊接在PCB 上；
表面贴裝式：MOS管管脚及散热法兰焊接在PCB表面焊盘上；
法兰焊接：管子与管子相互连接零件，连接于管端；
8脚贴片mos管引脚
P=P沟道场效应管
N=N沟道场效应管
P+N=P与N沟道场效应管各一只
N+P MOS管参数 = N沟道MOS场效应管参数+P沟道MOS场效应管参数
MOS场效应管主要参数：
耐压+最大电流+最大功率；
降压转换器参数：
输出最大电流+输入最高电压+内置振荡器频率；
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- MOS管作用-MOS管在电路中的作用-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS管作用（MOS管在电路中的作用）
1.电子开关作用；
2.恒流源作用；
3.可变电阻作用；
4.放大电路作用；
5.阻抗变换作用，多级放大器的输入级作阻抗变换；MOS场效应管工作原理
N沟道与P沟道工作原理一样
MOS管利用Vgs控制感应电荷数量，来改变感应电荷所形成的导电沟道，最终达到控制漏极电流；
Vgs是栅极相对源极的电压；
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- P沟道增强型MOS管工作原理-MOS管场效应管知识-竟业电子
- PMOS管衬底要与源极连接，漏心极电压Vds < 0，
确保：两个P区与衬底间PN结均为反偏，在衬底顶表面左近构成导电沟道，栅极对源极的电压Vgs < 0。
Ｖds≠Ｏ导电沟道构成后，漏极与Ｄ源极Ｓ间加负向电压，
源极与漏极间有漏极电流Ｉd流通，Ｉd随Vds而增加，
Ｉd沿沟道产生压降使沟道上各点与栅极间电压不再相等，此电压削弱栅极中负电荷电场作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄．
Ｖds增大到Ｖgd＝Ｖgs（TH），沟道在漏极左近呈现预夹断．
导电沟道构成，Vds=0，栅极与源极间加负电压Vgs，有绝缘层存在，因此没电流；
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- 如何降低场效应管MOS管失效率-MOS管场效应管知识-竟业电子
- MOS管（场效应管）经常失效，有时驱动IC也跟着损坏，如何解决此问题呢？
可用一个电阻来解决MOS管失效问题；典型半桥自举驱动电路，自举电路因技术简单，成本低，因此在高端MOS管栅极驱动电路广泛应用；
如上图所示：有寄生电感存在，高端MOS管（场效应管）关闭后，低端MOS管（场效应管）体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管进行续流，致VS端产生负压；
此负压大小与寄生电感是正比关系；
且此负压把驱动电位拉到负电位，引起驱动电路异常，有可能引起自举电容过充电，让驱动电路损坏，或栅极损坏；
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- 场效应管电路符号按分类识别-场效应管知识-竟业电子
- 绝缘栅型场效应管电路符号
如下所示：
绝缘栅型场效应管：种利用半导体表面的电场效应，感应电荷多少改变导电沟道来控制漏极电流的电子元器件；
栅极与半导体间绝缘；
N沟道
在一块浓度较低P型硅上扩散两个浓度较高N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
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- MOS场效应管逆变器组成-逆变器电路图及工作原理-竟业电子
- 电源变压器MOS场效应管逆变器
逆变器组成：MOS场效应管+电源变压器
输出功率：由MOS场效应管功率，电源变压器功率决定;方波产生:
CD4069方波信号发生器，如上图电路中R1=补偿电阻
R1作用：改善电源电压变化引起震荡频率不稳；
电路震荡通过电容C1充放电完成；
振荡频率公式
f=1/2.2RC
最大频率公式
fmax=1/2.2x103x2.2x10—6=62.6Hz
最小频率公式
fmin=1/2.2x4.3x103x2.2x10—6=48.0Hz
注意：输入端要接地；
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- 英飞凌mos管场效应管IPW60R099P7参数应用及Datasheet-竟业电子
- 英飞凌mos管场效应管IPW60R099P7功能概述
1.600V P7可实现出色的FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G
2.ESD坚固性≥2kV（HBM 2级）
3.集成栅电阻R G
4.坚固的体二极管
5.在通孔和表面安装封装中有广泛的产品组合
6.提供标准级和工业级零件
优势
1.出色的FOMs R DS（on）xQ G/R DS（on）xE oss可提高效率
2.通过停止发生ESD故障，在制造环境中易于使用
3.集成R G降低了MOSFET振荡灵敏度
4.MOSFET适用于硬开关和谐振开关拓扑，如PFC和LLC
5.在LLC拓扑结构中的体二极管硬换流期间具有优异的耐用性
6.适用于各种终端应用和输出功率
7.适用于消费和工业应用的零件
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- 2输入端CMOS或非门电路组成-MOS管知识-竟业电子
- 输入端A与B中：其中任一个是高电平，即与相连NMOS管导通，与相连PMOS管截止，
输出是低电平；
A与B都是低电平，2个并联NMOS管截止，2个串联PMOS管导通，输出是高电平；若n个输入端或非门：即有n个NMOS管并联 + n个PMOS管并联组成；
CMOS与非门，或非门 相比较：
与非门：MOS管串联，输出电压与MOS管个数增加而增大；
或非门：MO管并联，输出电压不一致有明显影响。
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- MOS场效应管开关特性及结构原理-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管特点
1.电压控制器件;
2.输入阻抗很高;
3.驱动功率小;
4.驱动电路简单;
5.输入电路功耗减小，有助于控制并实现最大功率；
6.噪声容限高；
7.抗干扰能力强；
8.较宽安全工作区不会产生热点及二次击穿；
9.零温度系数工作点，ID不受温度变化而影响，热稳定性好；
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