MOS管（场效应管）经常失效，有时驱动IC也跟着损坏，如何解决此问题呢？

可用一个电阻来解决MOS管失效问题；

如下图所示

 

 

典型半桥自举驱动电路，自举电路因技术简单，成本低，因此在高端MOS管栅极驱动电路广泛应用；

如上图所示：有寄生电感存在，高端MOS管（场效应管）关闭后，低端MOS管（场效应管）体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管进行续流，致VS端产生负压；

此负压大小与寄生电感是正比关系；

且此负压把驱动电位拉到负电位，引起驱动电路异常，有可能引起自举电容过充电，让驱动电路损坏，或栅极损坏；

 

IC驱动端有寄生二极管，瞬间大电流流过驱动口二极管，引发寄生SCR闭锁效应，让驱动电路损坏；

 

 

那么如何解决此问题呢？解决办法如下：

如下图所示：

自举驱动芯片VS端与Q1源极间加一电阻Rvs；

电阻作用：自举限流电阻+导通电阻+关断电阻

电阻值：3~10Ω，不能太大，因占空比受自举电容影响；

电阻与自举电容容值，充电时间之间关系，

公式如下：

（秒）