场效应管全称Field Effect Transistor

场效应管分类：结型场效应管+绝缘栅场效应管（MOS管）

MOS管分类：增强型+耗尽型，P沟道 + N沟道

P沟道MOS管分类：P沟道增强型+P沟道耗尽型

 

什么是P沟道MOS管

P沟道MOS管简称PMOS管

PMOS全称positive channel Metal Oxide Semiconductor；

别名：positive MOS；

PMOS管：n型衬底，p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管；

 

MOS场效应管被称P沟道增强型MOS场效应管

P沟道硅MOS场效应管在N型硅衬底上有两个P+区，

源极和漏极，两极间不通导，

柵极加正电压(源极接地)，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，

成为衔接源极和漏极的沟道。

改变栅极电压可改变沟道中的电子密度，同时也改变沟道的电阻; 

 

若：N型硅衬底表面不加栅极电压就已存在P型反型层沟道，加上恰当偏压，可让沟道电阻增大或减小，此种MOS场效应管被称P沟道耗尽型场效应管，简称PMOS晶体管；

 

PMOS管优势：电路工艺简单；

PMOS管缺点

1.导通电阻大；

2.成本高；

3.速度慢：因逻辑摆幅大，充电放电过程长，跨导小；

 

PMOS特性

Vgs < 一定值，导通；

应用：源极接VCC，高端驱动；

 

P沟道增强型MOS管工作原理

PMOS管衬底要与源极连接，漏心极电压Vds < 0，

确保：两个P区与衬底间PN结均为反偏，在衬底顶表面左近构成导电沟道，栅极对源极的电压Vgs < 0。

Ｖds≠Ｏ导电沟道构成后，漏极与Ｄ源极Ｓ间加负向电压，

源极与漏极间有漏极电流Ｉd流通，Ｉd随Vds而增加，

Ｉd沿沟道产生压降使沟道上各点与栅极间电压不再相等，此电压削弱栅极中负电荷电场作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄．

Ｖds增大到Ｖgd＝Ｖgs（TH），沟道在漏极左近呈现预夹断．

导电沟道构成，Vds=0，栅极与源极间加负电压Vgs，有绝缘层存在，因此没电流；

金属栅极被补充电而聚集负电荷，Ｎ型半导体中多子电子被负电荷排斥向体内运动，表面留下带正电离子，构成耗尽层，随着栅极Ｇ与源极Ｓ间负电压增加，耗尽层加宽，

Vgs增大到一定值，衬底中空穴（少子）被栅极中负电荷吸收到表面，在耗尽层和绝缘层之间构成一个Ｐ型薄层，被称反型层；

此反型层就构成漏极与源极间导电沟道，Ｖgs称为开启电压Vgs（th），Vgs=Vgs（th），若增加，衬底表面感应空穴越多，反型层加宽，而耗尽层宽度却不再变化，因此可用Vgs大小控制导电沟道宽度。