MOS管损耗组成：

导通损耗Pon+截止损耗Poff+开启过程损坏+关断过程损耗+驱动损坏Pgs+Coss电容的泄放损耗Pds+体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f+体内寄生二极管反向恢复损耗Pd_recover

电子元器件设计或选择前，会对MOS管工作过程进行模拟，并对损耗先期计算；

MOS管每种损耗计算方法

 

开启过程损耗

公式：Poff_on= fs×∫ TxVDS（off_on）（t） × ID（off_on）（t） × dt

开启过程 VDS（off_on）（t） 与 IDS（off_on）（t） 交叉波形如下图所示:

 

 

实际计算主要两种假设  

A ：VDS（off_on）（t）开始下降与 ID（off_on）（t）逐渐上升同时发生；

公式：Poff_on=1/6 × VDS（off_end） × Ip1× tr × fs

B：VDS（off_on）（t）下降是从 ID（off_on）（t）上升到最大值后才开始。

（可作最恶劣模式的计算值）

公式：Poff_on=1/2 × VDS（off_end） × Ip1 × （td（on）+tr） × fs

C： FLYBACK 架构路中一 MOSFET 实际测试到的波形，其更接近于 （A） 类假设。

 

关断过程损耗

如下图所示

预计得到关断完成后之漏源电压= VDS（off_beginning）

关断时刻前负载电流= IDS（on_end）

Ip2 ， VDS（on_off）（t）， IDS（on_off）（t）重叠时间为 Tx

公式：Poff_on= fs×∫ TxVDS（on_off）（t） × IDS（on_off）（t） × dt

实际计算

A： Poff_on=1/6 × VDS（off_beginning） × Ip2 × tf × fs

B： Poff_on=1/2 × VDS（off_beginning） × Ip2 × （td（off）+tf） × fs

（作最恶劣模式计算值）

 

导通损耗Pon

 MOS管 完全开启后负载电流即漏源电流IDS（on）（t）在导通电阻 RDS（on）上产生压降引起损耗。

公式：Pon=IDS（on）rms2× RDS（on）× K × Don

 

截止损耗Poff

MOS管完全截止后在漏源电压 VDS（off） 应力下产生漏电流 IDSS引起损耗。

损耗公式：Poff=VDS（off）× IDSS×（ 1-Don）

 

驱动损坏Pgs

栅极接受驱动电源进行驱动引起损耗；

损耗公式：Pgs= Vgs × Qg × fs

 

体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f

MOS管体内寄生二极管在承载正向电流时因正向压降引起损耗；

损耗公式：Pd_f = IF × VDF × tx × fs

二极管承载的电流量=IF， 二极管正向导通压降=VDF ，  一周期内二极管承载电流时间=tx

 

体内寄生二极管反向恢复损耗Pd_recover

MOS管体内寄生二极管承载正向电流后因反向压致反向恢复引起损耗；

损耗公式：Pd_recover=VDR × Qrr × fs

为二极管反向压降=VDR 二极管反向恢复电量= Qrr

 

Coss电容泄放损耗Pds

MOS输出电容 Coss 截止时储蓄电场能于导同期间在漏源极上泄放损耗。

损耗公式：Pds=1/2 × VDS（off_end）2× Coss × fs