利用mosease器件实现高效率的超场效应管的优化利用

600V CoolMOS™ P7超结（SJ）MOSFET是600V CoolMOS的继承者™ P6系列。在设计过程中，它继续在高效率和易用性之间取得平衡。一流的ronxa和CoolMOS固有的低栅电荷（qg）™ 第七代平台保证了其高效性。

 

英飞凌mos管场效应管IPW60R099P7功能概述

1.600V P7可实现出色的FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G

2.ESD坚固性≥2kV（HBM 2级）

3.集成栅电阻R G

4.坚固的体二极管

5.在通孔和表面安装封装中有广泛的产品组合

6.提供标准级和工业级零件

 

优势

1.出色的FOMs R DS（on）xQ G/R DS（on）xE oss可提高效率

2.通过停止发生ESD故障，在制造环境中易于使用

3.集成R G降低了MOSFET振荡灵敏度

4.MOSFET适用于硬开关和谐振开关拓扑，如PFC和LLC

5.在LLC拓扑结构中的体二极管硬换流期间具有优异的耐用性

6.适用于各种终端应用和输出功率

7.适用于消费和工业应用的零件

 

应用

1.电视电源

2.工业用开关电源

3.服务器

4.电信

5.照明

 

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