高压VDMOS场效应管参数有以下几种： 导通电阻+开关时间+外延层厚度及电阻率+阈值电压 1.导通电阻 功率VDMOS场效应管耐压不同时，有着不同的电阻占导通电阻比； 高压VDMOS场效应管，外延层或是说漂移区最主要是：电阻RD和JFET区电阻RJ； 耐压满足时，结构用穿通型，因此外延层厚度减小，若JFET增加合适的宽度，RD与RJ即减小； 2.开关时间 开关时间要得到更好的优化，那么就要从2个问题去解决： 多晶硅栅电阻RG+输入电容Cin都要减小； 多晶硅电阻RG减小解决方案是： 制作过程中多晶硅掺杂剂量提升，设计版图时栅极多晶硅及栅极铝引线接触孔都增加； 输入电容Cin都要减小解决方案是： 输入电容中，主要影响原因是密勒电容CGD，即密勒电容CGD减小，那么就要让栅氧化层厚度tox增加，但阈值电压VTH增大（实际应用中要考虑）；

硅功率二极管PN结压降1.2V，因此消耗很多能量，引起电源效率损失； 太阳能板24V电压+120W电源，为避免回流二极管产生6W功率损失(受控能量5%)， 二极管散热开发冷却系统成本会非常之高； 为了节约成本，解决方案 用工作在开关模式MOS场效应管取代传统功率二极管,MOS场效应管on状态，低漏源电阻； V2=36V交流电源 负载：9Ω电阻RL+25 mH线圈L1 IC1=比较器 D1=二极管 R1=电阻 电源正极>漏极电压负极 IC1产生Q1栅极电压，源极=整流器正极，漏极=负极 用沿晶体管源漏方向传导电流能力；

电子元器件在UIS工作时雪崩损坏模式有2种即寄生三极管导通损坏+热损坏，寄生三极管导通损，即在MOS场效应管内部一个寄生三极管，三级管击穿电压小于MOS场效应管电压，漏源反向电流流过P区，Rp和Rc产生压降值=三极管BJTVBEon，因不一致的局部单元，弱单元因三级管放大作用及基级电流IB增加让局部三极管BJT导通，因此发生失控，栅极电压不足以关断MOS场效应管；

高压场效应管热阻 热阻RΦJA 计算表达式 RΦJA=RΦJC RΦCS RΦSA(3) RΦJC：junction-to-case结至管壳热阻与片基尺寸相关； RΦCS：是用户参数，case-to-sink管壳至汇点热阻与热界面+电隔离相关； RΦSA：是基本散热与空气流动，汇点至环境热阻； 若：无热损耗+元件装于确定铜量电路板上，而没有装在静止空气中板上，此时，热阻(定管壳至汇点+汇点至环境)因电源设计师负责； 半导体数据手册：提供分立封装节至管壳热阻与节至汇点的热阻；

MOS场效应管雪崩能量与电子元器件本身的热性能及工作状态有关联； 其它表现的形式是：温度； 温度↑与功率水平及硅片封装热性能有关联；待测量+驱动)MOS场效应管导通 VDD加在L上，L激磁电流线性↑，→导通时间tp，L电流至最大值； (待测量+驱动)MOS场效应管关断 L电流不能突变，切换瞬间，要维持原大小+方向，D导通； 功率半导体对快速功率脉冲时间=100～200μs热响应,tav=脉冲时间 测量雪崩能量在低电流和长时间下，功率消耗让元件温度上升，它的峰值温度决定失效电流值； 元件很稳定，温度<最高允许结温，即可维持测量； 结温：25℃增至TJMAX 外部环境温度恒定=25℃ 电流=60%ID 雪崩电压VAV=1.3*额定电压 雪崩能量测量条件：非钳位感性开关UIS下 两值：EAS+EAR EAS=单脉冲雪崩能量 作用：单次雪崩状态元件消耗最大能量 EAR=重复脉冲雪崩能量 作用：电感值+起始电流值决定雪崩能量

MOS场效应管开通时开关损耗 Crss=米勒电容 正比：Crss与t3，米勒平台占开通损耗比=84% Crss对应Qgd是MOS场效应管产生开关损耗的原因 Ciss=Crss+Cgs Ciss对应电荷Qg 两MOS场效应管A与B 它们对应的Qg与Ciss A < B 若：Crss，A>B，开关损耗A > B 在选择MOS场效应管Crss值应该考虑仔细； t3与t2大小还取决于驱动电阻，减小驱动电阻即可减小t3与t2值，即减小开关损耗， 如果开关速度过快会有EMI，栅驱动电压提升即可降低t3，米勒电压降低，阈值开启电压降低，即t3降低，开关损耗减小， 若：阈值过低，开启时导致MOS场效应管误导通； 若：跨导增加，工艺程度增加，成本增加；

MOS场效应管稳态特性 门极与源极间电压Vgs，控制电子元器件导通与否; VgsVth时，电子元器件处于导通; 它的通态电阻值：随Vgs大，而小; 电子元器件Vgs= 12V-15V   额定值为±30V; 电子元器件漏极电流额定：用其有效值或平均值标称; 实际漏极电流有效值<额定值，散热正常，则安全; 电子元器件通态电阻呈正温度系数 理论：容易并联扩容 实际：并联，要考虑驱动对称性和动态均流问题; Logic-Level功率 MOS场效应管，Vgs= 5V，即可确保漏源通态电阻很小;

英飞凌650V MOS场效应管集成快速体二极管 英飞凌高能效半导体解决方案让全球节省能耗25%； 650V CoolMOS™ CFD2，是英飞凌创新型高压CoolMOS™ MOS场效应管。 优势 1.有650V漏源电压 2.可集成快速体二极管高压晶体管 3.软换向性能 4.抗电磁干扰性好 5.有快速开关超结结 MOS场效应管特点 6.轻载效率高+栅极电荷低+可靠性非常出色 应用 LED照明+通信设备+电脑服务器+太阳能逆变器

12V至5V同步整流降压式MOS场效应管驱动器，提供高轻负载效率； 如： ISL6622A+ISL6622+ISL6622B 共同的特点：3A吸收能力+快速上升/下降时间+开关频率1MHz+高总体效率 它的封装 ISL6622：8引线SOIC 作用： 1.PWM模式下把高低侧极驱动至VCC； 2.PSI模式下低侧栅极降到典型值5.75 V； ISL6222A：10引线DFN 作用： UVCC引脚把高侧栅极驱动5V~12V 低侧栅极可选电阻器,PSI模式下典型电压5.75V+6.75V+7.75V; ISL6622： 1.N沟道MOS场效应管+PWM控制器(VR11.1)结合； 2.微处理器内核电压稳压器解决方案由PWM协议提供； 3.提供PSI模式期间二极管仿真操作，以提高高轻负载效率； 4.电感器电流=0  检测可以实现非连续导通模式DCM 5.检测=“0”低侧MOS场效应管关断 作用：避免吸收电流+消除伴随反向电流功率损失

LDMOS场效应管过流比较模块电路分析,LDMOS场效应管栅极电压V GATE=高  LDMOS场效应管导通，M10导通，采集LDMOS场效应管饱和漏极电压； V GATE=低，LDMOS场效应管关闭，电路不工作； 比较电压产生器 LDMOS场效应管栅极=高电平，处于过流； VGATEDelayed=低电平 ，I1+I2+I3对Ccompare充电，VCompare上升； 采样电压最大值=2.5V，设VCompare=2.7 V，增加电路工作门限电平，抗干扰能力提高， Csample通过R2快速放电，VSample快速变0，相应输出为非过流状态； VGATEDelayed=高电平，输出VCompare=I1×R3=1.0 V