ESD击穿mos场效应管分析-mos场效应管保护电路失效-竟业电子

   时间:2021/1/18      阅读:1388   关键词:mos场效应管

MOS场效应电路输入端保护二极管,导通电流容限=1mA

若:瞬态输入电流 >10mA,即需要输入保护电阻

解决方案

可选择的MOS场效应内部有保护电阻

 

保护电路失效,因保护电路吸收瞬间能量有限,过大瞬间信号+静电电压时,因此焊接电烙铁可靠接地,避免漏电击穿MOS场效应管输入端

解决方案

断电电烙铁余热焊接先焊接地管脚

 

MOS场效应对电压敏感,G悬空易受外部干扰致其导通外部干扰信号对GS结电容充电,此电荷长时间可存在;

解决方案

G接下拉电阻对地电阻=10~20K

作用泻放电阻+提供偏置电压

 

MOS场效应高输入电阻,有栅源间小电容电磁场+静电即可影响感应带电

电荷即在极间电容上形成高电压,损坏MOS场效应

表达式如:(U=Q/C)

MOS场效应管输入端有抗静电保护措施,但即要金属容器+导电材料包装;

 

任何操作包括人或物都要接地

GS间阻值大,静电量虽小,但等效电容两端都可产生高电压,或产生MOS场效应管误动作,

导致GS击穿;

解决方案

增加电阻静电泻放,即可;

 

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