BIMOS场效应管是什么

如下图所示

a图是传统结构：DMOS在一层薄且低阻抗的硅衬底上生成一个硅外延层；

若：电压>1200V，承受阻断电压N-硅层倾于无外延层如b图，即均匀基区结构NPT

如b图，有IGBT的pnpn，此为引入一个N+集电极-短路模式，作用：让PNP晶体管电流增益减小，关断性能获得提升；

此时，在发射极和集电极间有自由寄生二极管，即BIMOS场效应管中BI，集电极控制BIMOS场效应管关断；

二极管反向导通要得到优化，避免换向产生时有dv/dt，辐照降低少数载流子寿命；

 

BIMOS场效应管分类

标准型

与IGBT相似，控制电压VGE=15/0V；

经过试验：门极电阻和门极电压影响损耗

如：门极电阻<30Ω 驱动波形振荡

门极电阻>50Ω，导通损耗增加

 

IXBH9N160 BIMOSFET最好的工作条件

驱动电压=15V

门极电阻=30~50Ω

 

G型

门极电压与MOS场效应管相同；

门槛电压≈4V

门极驱动电压=10V

 

BIMOS场效应管反激变换器可区带1000V MOSFET

阻断电压=1400/1600V

吸收电容可减小或省略，

驱动电压=15V  开通损耗即减小；