降低MOS场效应管Rds(ON)，得到潜在效率，要注意以下因素

如下图所示

 

Q1=MOS场效应管

Q2=同步整流器

电压驱动控制Q1与Q2相对门极

额外离散元件需求

影响PCB路由

最佳驱动电压振幅需求

 

仲裁元件对控制Q1与Q2分析

门极源极电压(VGS)相对另一门极源极电压优势

要注意：

本文所有曲线图作为实际应用依据：是从数据表可得典型MOS场效应管性能特性曲线图

MOS场效应管Rds(ON)对门极驱动电压

门极驱动电压对门极电荷的曲线

如上图所示：控制Q1

VGS=5V  VGS=9V   Rds(ON)值=？

 

Q1倾向开关损耗

注意：低门极电荷，再注意：Rds(ON)

VGS=5V  Rds(ON)=8.7mΩ

VGS=9V  Rds(ON)=6.4mΩ

VGS=5V→9V   影响门极电荷

VGS=5V  Qg=13nC

VGS=9V  Qg=24.8nC

 

上图是：Q2

VGS=5V  VGS=9V  Rds(ON)值=？

Q2倾向导电损耗

注意：Rds(ON)要最低，再注意：门极电荷

GS=5V    Rds(ON)=3.37mΩ

VGS=9V  Rds(ON)= 2.75mΩ

如上图：

VGS=5V→9V  影响门极电荷

VGS=5V  Qg=37.5nC

VGS=9V  Qg=76nC

 

注意：同步降压MOS场效应管驱动器没有，不同电压，独立驱动控制门极与同步门极

因最大负载电流影响

高VGS产生低Rds(ON)，得导电损耗更低，开关损耗若要有优势要到某一特定截至频率

如果开关损耗开始有优势高频率范围内，VGS选低值产生低门极电荷；

导电损失有优势低频率范围内，选VGS高值产生低Rds(ON)；

 

高效率要提高：选VGS低值驱动控制MOS场效应管，这样开关损耗尽可能的减小；

导电损耗降低：选择VGS高值驱动同步整流器；