设计元器件或在选型中，MOS场效应管工作过程损耗，是要在设计之前要预先计算或是预估，但在没有具体元件测试下，只能参考元件的说明书中的参数及预先设计好的电路图，来估算其值，此值只能是理论上的数值，实际的损耗则应该按元件实物测试所获得的数值；

 

在MOS场效应管工作过程总损耗表达式如下

PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs+Pd_f+Pd_recover

第一部就是导通损耗Pon的值

 

什么是导通损耗Pon

它是在MOS场效应管完全开启，漏源电流或是说负载电流 IDS(on)(t)在 RDS(on)上产生压降时的损耗；

RDS(on)=导通电阻

计算导通损耗时，我们先计算漏源电流或是说负载电流 IDS(on)(t)公式，其中获得IDS(on)rms 值 ，它的时间是导通时间 Ton，与工作周期 Ts无关；

 

然后，根据如下公式计算导通损耗Pon值

Pon=IDS(on)rms2 * RDS(on) * K * Don

 

RDS(on) 值与IDS(on)(t) +元件结点温度相关，