硅集成电路驱动：单驱动输入b+双驱动输入a

如下图所示

 

硅半桥驱动器应用于：(高端+低端)MOS场效应管硅芯片驱动

 

高端MOS场效应管硅芯片驱动优势

1.封装高性能紧凑

2.单颗芯片集成驱动高端MOS场效应管+几个外部元件，开关速度即可提高，闩锁关闭功能，

很低的延迟在输入指令与门驱动输出间，低功率耗散；

 

高端MOS场效应管硅芯片驱动缺点

1.硅芯片内电压高600 V

2.高压隔离，要加脉冲触发器+同步整流触发器+电平转换器；

3.匹配传播延迟（高端驱动与低端驱动间）

4.不可用不平衡变压器

5.要自举供电

6.抗干扰能力要求非常之高

7.负电压：会引起驱动IC内部产生负电流，会增大每个脉冲宽度，直到硅驱动器失效，导致驱动器损坏（不在宽温度内）

 

 

 

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