VDMOS场效应管横向结构设计

它包括几个部份：元胞结构+栅电极结构+结终端结构

 

设计元胞结构

首先是元胞结构选取，因很容易集中正三角形元胞电场，会降低漏源击穿电压；

六角形元胞对角线与对边距比值<方形元胞对角线与边长比值

可以让电流均匀分布，有很小的曲率效应，

六角形元胞<圆形元胞牺牲率

圆形元胞牺牲率是：A’/Acell，

A’=元胞边缘结合处不能流电流的无效区面积

Acel=元胞总面积

 

此设计：VDMOS场效应管=500 V高压，用正六角形”品”字排列元胞结构;

 

设计栅电极结构

VDMOS场效应管组成：小元胞单元并联；

有栅极多晶硅电阻，栅极偏压一定值时，无法充分开启离栅极压焊点远元胞沟道，

要把影响栅电极材料电阻降低，栅极压焊点金属引伸至离压焊点远元胞单元；

此设计：VDMOS场效应管栅极压焊点引伸3条金属条连接多晶硅；

 

设计结终端结构

场板与场限环相结合结终端结构的一般情况

如下图所示

 

此设计注意事项：若有着大场板和保护环间距，场板下耗尽层扩展至保护环前，保护环无效，PN结被击穿；