MOS场效应管与IGBT并联使用满足条件-MOS场效应管应用-竟业电子

   时间:2021/1/12      阅读:2893   关键词:MOS场效应管

MOS场效应管并联使用满足条件

1.导通电阻或饱和压降为正温度系数

2.并联使用MOS场效应管一致性好

3.元器件最好选择同一批次的;

MOS场效应管导通电阻基本上是正温度系数,因此它比较容易并联使用

 

IGBT并联使用满足条件

IGBT饱和压降有:正温度系数+负温度系数

1.导通电阻或饱和压降为正温度系数

2.IGBT正温度系数饱和压降即可实现并联使用,且均流效果很好

IGBT负温度系数饱和压降使用并联,很难均流,所以并联使用不可实现;

 

若:FF450R17ME3其饱和压降温度特性

集电极电流 > 100A良好饱和压降正温度系数

2个模块并联输出总电流有效值=400A交流

 

实际:并联模块电流不均匀度 < 5

 

MOS场效应管与IGBT并联使用满足条件

MOS场效应管与IGBT并联使用满足条件

 

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