第一代 SPICE 仿真程序使用的 MOS场效应管模型 级别 1 时序计算和低仿真时间提供高准确度 即 Schichman-Hodges 模型 应用于：栅极长度 >  10 µm 的器件。 通道长度调制通过使用参数 L 建模。 跨导：考虑体偏置。 Level 1 模型：不包括载流子饱和效应、载流子迁移率退化或弱反转模型。 级别 2 考虑大量电荷效应 即 Grove-Frohman 模型 如：阈值电压恒定且仅随衬底电压变化，则不考虑短沟道效应。

MOS场效应管的横截面图 如下电路 MOS场效应管电路模型在雪崩中，充当二极管的 pn 结不再阻断电压。 加上过高的电压会到临界场，碰撞电离 ≈∞，雪崩倍增，载流子浓度增加。 因径向场分量，元件内部的电场在结弯曲处最强。 此强电场在寄生 BJT 附近产生最大电流 如下图所示 当压降足以正向偏置寄生 BJT 时 雪崩下的MOS场效应管横截面 功耗会增加温度，即RB增加 原因：硅电阻率随温度增加。 根据欧姆定律，在恒定电流下，增加电阻，导致电阻两端的电压降增加。

配合MOS场效应管要正常工作的驱动电路，驱动芯片驱动MOS场效应管电路如下所示： 电源VCC→M1和Rg，给Cgs，Cgd充电，MOS场效应管开通 充电简化电路如下所示： M1关断 M2开通 Cgs通过Rg和M2放电，MOS场效应管关断 放电简化电路如下所示： 驱动电流及速度决定驱动能力 即驱动电流，驱动的上升，下降时间。 驱动上升,下降时间：影响器件开通及关断速度。

MOS场效应管构成的逆变器 逆变器构成：MOS场效应管+普通电源变压器 决定输出功率：由MOS场效应管功率和电源变压器功率 此设计是为了避免变压器绕制，电路图如下所示：

功率MOS场效应管作为逆变器装置，应用于用汽车电池供电。 直流变交流电路如下所示： 如上电路所示， 输入电压=12伏直流电 输出电压=100V的交流电 输入和输出电压不定，可以选择任何电压。 它他依赖于变压器使用。 波形输出为方波。 即可得，电路功率=100W。 注意：电路必须按装保险丝。 原因：过多输入电流流动时，振荡器停止。

闩锁效应：指CMOS场效应管电路中，寄生可控硅结构被触发导通，在电源和地间存在一个低阻抗大电流通路，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路。 Latch up：指CMOS场效应管晶片中，在电源VDD和地线GND(VSS)间，因寄生PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路，它的存在会使VDD和GND间产生大电流； Latch up产生，根据封装密度与集成度有关，这两者越高，可能产生Latch up越大。 Latch up产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏。 IC Layout防范Latch up很重要。

碳化硅MOS场效应管拥优势：低开关损耗 快速开关：可实现系统的高频化，小型化，并提高效率。 高压超快的开关速度：即有超高di/dt，dv/dt，会通过系统的杂散电感，电容形成干扰，对设计工程师带来了新的挑战。 碳化硅MOS场效应管的门极是一个耐压非对称体。 碳化硅MOS场效应管的阈值电压非常低，在超快速的di/dt，dv/dt下，为了避免高速开关带来的串扰，如误开通，门极超压，直通短路等，那么，设计碳化硅MOS场效应管驱动时需要注意。 智能碳化硅MOS场效应管驱动注意事项

场效应管代换注意事项 场效应管击穿或损坏后，不能修复。 1.场效应管代换时，同材料、同规格可代换 2.可用大功率、大电流、高电压的代换小功率、小电流和小电压， 但应注意使用环境和使用条件，不得过大，否则由于电路工作点改变，管子难以正常工作。1.晶体管类型及材料，因NPN型与PNP型晶体管工作时，对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换。 2.晶体管的材料有锗材料和硅材料，它们起始电压不一样。 锗管PN结的导通电压为0.2V左右 硅管PN结的导通电压为0.6~0.7V

场效应管音频混合器，此电路为两个或多个声道混合成一个声道（如立体声到单声道）。 该电路可根据喜好混合任意多个或任意少个通道，并且功耗非常低。 混音器显示为两个输入，但只需复制示意图上清晰可见的“部分”，即可添加任意数量的输入。 R1，R3 R2，R4=100K 1/4 W电阻器 R5=6.8K 1/4 W电阻器 C1，C2，C3=0.1uF电容器 Q1=2N3819结场效应管音 电线、屏蔽（金属）外壳、唱机或其他输出插头