减少干扰解决方案MOS场效应管和肖特基二极管-竟业电子

   时间:2022/4/19      阅读:1265   关键词:MOS场效应管

同步变化高边和低边有源开关应用于负载点降压转换器

如下图所示

理想开关电路

减少干扰解决方案MOS场效应管和肖特基二极管

无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比,它的开关稳压器有优势。

优势电压转换效率更高

原因:与无源二极管相比,低端开关承载电流时的压降更低。

 

与异步开关稳压器相比,同步降压转换器会产生更大的干扰。

如上电路,两个理想开关同时导通,即使时间很短,也会发生从输入电压到地的短路,开关会损坏

 

为了两个开关永不同时导通

解决方案:为了安全,在一定时间内保持两个开关都断开。

时间称为开关稳压器的死区时间从开关节点到输出电压连接了一个载流电感L1通过电感的电流永远不会发生瞬间变化。

电流会连续增加和减少,但它永远不会跳变。

在死区时间内会产生问题所有电流路径在开关节点侧中断。

 

理想开关在死区时间内会在开关节点处产生负无穷大的电压。

实际开关越来越大电压负值,直两个开关中的一个被击穿并允许电流通过。

 

 

理想开关同步开关稳压器应用于降压转换

开关稳压器:用N沟道MOS场效应管为有源开关。

MOS场效应管的体二极管。

半导体的源漏间存在一个PN结。

如下图所示

减少干扰解决方案MOS场效应管和肖特基二极管

插入有相应PN结的MOS场效应管

在死区时间内,开关节点的电压也不会下降到负无穷大,而是通过低端MOSFET中的PN结(如红色所示)承载电流,直到死区时间结束并且低端MOS场效应管导通为止。

 

上图电路,用于降压转换的同步开关稳压器,用N沟道MOS场效应管和额外的肖特基二极管,可最大限度地减少干扰。

 

MOS场效应管的体二极管缺点

反向恢复现象,其开关速度非常低。

 

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