SiC 场效应管第四代产品改进单元密度以降低单位面积的导通电阻（RDS.A），运用银烧结粘接和晶圆减薄技术改进了热设计，减小到基片的热阻。
 

SiC 场效应管与SiC MOS场效应管对比

SiC 场效应管优势

1.保留SiC MOSFET最佳方面而无其缺点，高压SiC JFET和低压Si-MOSFET的共源共栅组合。

2.具有可防止过压的雪崩效应。

3.速度快，导通电阻很低，栅极驱动简单，兼容Si-MOSFET甚至IGBT电平。

4.阈值电压高，无迟滞现象，距离最大绝对额定值有很好的裕度。

5.有由低压Si-MOSFET定义的体二极管效应，QRR极低，正向压降仅为1.75V左右，同时输出电容COSS也低。