什么是桥臂串扰

SiC MOS场效应管三相全桥逆变电路中，同一桥臂上下元件易受寄生参数的影响，互相产生干扰，即桥臂串扰。

桥臂串扰可造成桥臂直通，烧毁元件

因SiC MOS场效应管栅极电压极限值，栅极阈值电压都相对较低，桥臂串扰问题更加突出。

SiC MOS场效应管寄生参数影响

 

开通过程

 

关断过程

 

串扰电压分析：

 

抑制解决方案：

1.AMC;

2.驱动电源稳负压；

3.门极TVS、二极管钳位；