MOS场效应管特点：开关速度快，导通电阻小。

MOS场效应管栅极模型

MOSFET内部，由许多个单元即小MOSFET并联组成。

如下图所示

 

a：AOT460内部显微结构图，其内部的栅极等效模型如

B：MOSFET的结构确定了其栅极电路为RC网络。

 

MOSFET关断过程中，栅极电压VGS下降，从等效模型可得，在晶元边缘的单元先达到栅极关断电压VTH，因此先关断，中间的单元，因RC网络延迟，滞后达到栅极关断电压VTH，后关断。

MOSFET关断时的电流分布

 

若MOS场效应管加负载为感性负载，因电感电流不能突变，导致流过MOSFET的电流向晶元的中间流动，如上图所示。

 

会造成MOSFET局部单元过热，导致MOSFET局部单元损坏。

若加快MOSFET关断速度，让MOSFET快速关断，不让能量产生集聚点，即避免因局部单元过热而损坏MOSFET。

 

MOSFET在关断时，应提供足够的放电电流让其快速关断，即提高开关速度，降低开关损耗，让非稳态过程尽量短，避免产生局部过热点。

MOSFET的转移特性

 

MOSFET处于饱和区时漏极电流ID与栅极电压VGS的关系曲线即转移特性，即：

 

特定MOSFET  K=常数

饱和状态，ID与VGS是平方关系。

 

MOSFET处于饱和区，ID=ID0，ID随温度的变化是负温度系数。
MOSFET组成：由非常多小的单元。