MOS场效应管绝对最大额定值分析绝对最大额定值的项目与其他特性之间大多存在着密切的联系，因此必须注意不要使各个项目同时达到最大额定值。 MOS场效应管漏极/源极耐压VDSS 该项表示在栅极/源极之间短路时,可外加到漏极/源极之间的最大电压。VDSS 因温度的变化而产生波动. 当如下图所示的结温Tj上升到100°C时，V(BR)DSS增加约10%。必须注意当Tj下降时，V(BR)DSS也会以相同的比率下降。

MOS场效应管开关时间受到测量电路的信号源阻抗RS与漏极负载电阻RL很大的影响。 测量条件对VDD、RL、VGS、 ID以及测量电路作了规定。 信号源阻抗规定连接50Ω的脉冲发生器。 实际使用时，通过减小RS实现高 速化。 该项几乎不受温度的影响。 接通延迟时间td(on)：从输入栅压波形上升10%到输出电压波形上升10%的时间。 该值略受VGS(off) 值的影响， VGS(off)的值越小时间越短。

如下图所示MOS场效应管中栅极充电电荷量Qg的测量电路 原理：当在栅极以恒流Ig驱动时间轴t时，时间轴 t乘以Ig，这样，时间轴可作为电荷量Qg来读取。如下曲线图所示在2SK299中实际测量Turn-on、Turn-off时的Qg-VGS·VDS特性。纵轴为漏极/源极电压VDS、 栅极/源极电压VGS，横轴为MOS场效应管栅极充电电荷量Qg。

因Mos管可作是一个开关管并一个体二极管，控制此Mos管 当无输出电流时，关断开关管、由体二极管去阻断，有输出出电流时使开关管导通，从而可以保证单向导电同时也减少正向导通时发生的损耗。 以上2个电路图需要一个额外的辅助电压。 此电路的关键因素之一是如何正确、恰当的去控制Mos管的开关。而严格的讲上图中电路一般是不能胜任的，因为Q2的BE结电压与D1的导通压降一般不相等，如何保证他们的电压相等，从而使Mos管恰当的开关，如下电路：

在MOS场效应管中VG控制整个晶体管的开与关 电平较低的一端被认为是源极，衬底和地相连 晶体管状态由VG控制 VG为低电平=源极漏极之间无连接 ， 晶体管断开 ——开关断开 VG为高电平=源极和漏极之间相连接——晶体管导通——开关闭合 电平较高的一段被认为是源极，衬底和VDD相连 晶体管状态由BG控制 VG为高电平 =源极漏极之间无连接  晶体管断开——开关断开

在USB未接入情况下 闭合S2 电流流过PMOS场效应管的体二极管 PMOS场效应管的S极电位为正 G极电位为0 Vgs<0 且小于Vgsth(CJ2301 Vgs(th)为-1V )， PMOS导通 当S1闭合 USB接入时 G极电位为USB对地电位 而S极电位为原来负载端电位  Vgs>0 且 因而PMOS关闭 体二极管为D极指向S极因此电流无法反流

什么是FAMOS 浮置栅雪崩注入MOS晶体管 FAMOS的基本结构如下图所示 在p-MOSFET的基础上，只是把栅极改变为一个浮空的栅极——浮栅（用多晶硅制作）； 该浮栅被优质SiO2包围着，其中的电荷可较长时间地保存起来。 FAMOS在常态时处于截止状态即无沟道。 当源-漏电压VDS足够大时，漏极p-n结即发生雪崩击穿，将倍增出大量的电子-空穴对；

当结电容损耗变大时，如何去调整？ 选择更小Coss的MOS场效应管。 MOS场效应管的开与闭的过程，需不断在结电容中充放电 理想：电抗元件不消耗能量， 实际：电容会存在ESR寄生电阻，当电流流过会产生损耗。 在单次充放电，电容越小，电流也会越小，损耗也会小。

NMOS场效应管的源漏和沉底连到一起到地，gate上有一个电压源。 如下图所示 NMOS场效应管剖面图 gate电源大=一定程度 > 阈值电压VTH 引起源漏间出现反型层，即沟道形成 栅氧即gate与沟道间的绝缘介质，并形成电容 电容的单位面积大小，与栅氧的厚度和介电常数有关。

mos场效应管开关电路实例电路图 电路中，增强型 N 沟道mos场效应管用于切换简单的灯“ON”和“OFF”。 栅极输入电压VGS被带到适当的正电压电平以打开器件 因此：灯负载要么“打开” V GS = +ve 要么处于将器件“关闭”的零电压电平 V GS = 0V 如果灯的电阻负载要由电感负载(如线圈、螺线管或继电器)代替，则需要与负载并联一个