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- MOS场效应管反向偏压ASO-MOS场效应管知识-竟业电子
- 在开关稳压器等功率开关的用途中，开关MOS场效应管的负载多为感应性负载，所在要考虑反向偏压 ASO 。
在开关电源等，为了缩短 tstg和 tf，对发射极/基极结进行强制性 反向偏置，此时产生IB的反向电流，但是该电流越大tstg和tf就越小。
反向偏压ASO也变小，从而限制了工 作区域
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- MOS场效应管萨支唐公式设计电路尺寸-MOS场效应管知识-竟业电子
- 在设计电路尺寸时，如何获得Vth与unCox值，需要用到萨支唐公式
model工艺，直接找到PMOS和NMOS的Vth0，u0和tox
可如以下公式由tox计算得出Cox，利用说明书上的model数据估算，
下面是allen书上的0.8um Nwell CMOS工艺
PMOS场效应管和NMOS场效应管的Vt大约为0.7V
unCox=110
upCox=50
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- MOS场效应管频率特性图形分析-MOS场效应管知识-竟业电子
- 功率 MOS场效应管具有优秀的高速 / 高频等显著特性，应用于可发挥其特长的高速开关稳压器和大输出广播发 射机等。
固有MOS场效应管截止频率通过相互电导与输入电容的比来定义，普通的MOS FET也可以达到数GHz。在实际的器件中，截止频率受到栅极寄生电阻和输入电容的限制
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- CMOS场效应管寄生双极晶体管被触发导通-MOS 场效应管知识-竟业电子
- CMOS场效应管寄生双极晶体管被触发导通，通常把这种现像叫作闩锁效应。
电源与地间有低阻通路，大电流，因此产生让电路无法工作的情况，或是电路被烧毁。
pnp（npn）二极管结构：源→阱→衬底
自身n阱→p衬底已形成反偏结构，
CMOS场效应管家电路的闩锁效应：n阱中的p掺杂的电压高于n阱的阱电位，即殂成。
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- 电平转换采用MOS场效应管-MOS场效应管应用知识-竟业电子
- 电平=1.8V 或3.3V
选一个NMOS场效应管WNM2021
注意：参数，导通电阻，开关速度，打开门限电压，
NMOS场效应管相关参数：左→右
1.8V→3.3V
IO_1.8=高电平，MOS关断，IO_3.3=高电平
IO_1.8=低电平
Vgs = 1.8V>Vgs(th)
MOS导通，IO_3.3=低电平
IO_1.8=高阻态，MOS关断，IO_3.3=高电平右→左
IO_3.3=高电平，MOS关断，IO_1.8=高电平
IO_3.3=低电平
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- 整流桥应用于电源实现接线无极性-竟业电子
- 整流桥
让电源无极性
解析：在电路中电源不管是正接或是反接，都可正常工作。
整流桥组成：二极管4个即可。
在交流转直流的整流电路中，在交流的每个周期有两个二极管同时导通，另外两个二极管截止，依次轮换。
整流桥仿真电路
整流桥所实现的仿真电路如下图所示
电源：正接或反接，负载LED都发光
即整流桥实现电源的无极性。
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- MOS场效应管应用于推挽和开漏输出电路图分析-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管应用于推挽和开漏输出电路图分析
推挽和开漏输出电路图如下所示
开漏模式：可读IO输入电平变化
端口也可作双向IO使用，推挽输出:
可以输出高，低电平，连接数字器件
输出 0 ，N-MOS场效应管 导通，P-MOS 高阻，输出0
输出 1 ，N-MOS场效应管 高阻，P-MOS 导通，输出1
不需要外部上拉电路
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