MOS场效应管应用于推挽和开漏输出电路图分析-MOS场效应管知识-竟业电子

   时间:2023/1/30      阅读:1447   关键词:MOS场效应管

MOS场效应管应用于推挽和开漏输出电路图分析

推挽和开漏输出电路图如下所示

开漏模式:可读IO输入电平变化

端口也可作双向IO使用

MOS场效应管应用于推挽和开漏输出电路图分析

推挽输出:

可以输出高,低电平,连接数字器件

输出 0 N-MOS场效应管 导通,P-MOS 高阻,输出0

输出 1 N-MOS场效应管 高阻,P-MOS 导通,输出1

不需要外部上拉电路

 

开漏输出:

输出端与三极管的集电极相似.

若要获得高电平状态,则电阻要上拉.

应用:电流型驱动

原因:它吸收电流能力强,一般20ma以内

 

输出 0 N-MOS场效应管 导通,P-MOS 不被激活,输出0

输出 1 N-MOS效应管 高阻,P-MOS 不被激活,输出1

要外部上拉电路

 

 

 

 

 

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