MOS场效应管萨支唐公式设计电路尺寸-MOS场效应管知识-竟业电子

   时间:2023/2/10      阅读:2060   关键词:MOS场效应管

在设计电路尺寸时,如何获得VthunCox值,需要用到萨支唐公式

model工艺,直接找到PMOSNMOSVth0u0tox

可如以下公式由tox计算得出Cox

 

MOS场效应管萨支唐公式设计电路尺寸

 

利用说明书上的model数据估算,

下面是allen书上的0.8um Nwell CMOS工艺

PMOS场效应管NMOS场效应管Vt大约为0.7V

unCox=110

upCox=50

 

MOS场效应管萨支唐公式设计电路尺寸

 

 

 

 

关注竟业电子微信公众号,查看更多文章

竟业电子微信公众号

  • 联系我们CONTACTUS
    • 深圳市福田区华强北路
              1019号华强广场A座9J

          3008038871

    • 0755-83212595
               139 2389 6490 微信

      postmasterr@jingyeic.com

  • 向客服提交BOM清单
  • 提交物料清单文件

  • 上传xls,xlsx或其他Excel兼容文件格式。最大文件大小:2MB
  • 下载模板
  • 下载文件

  • >
  • 填写表格

  • >
  • 提交清单

  • >
  • 客服回复

  • 全球现货一站配齐
  • 价格透明 控制成本
  • 原厂代理分析授权
  • 闪电发货配货快
  • 首页
  • ©2024深圳竟业电子有限公司
  • 粤ICP备17155421-2号
  • 法律声明 
  • 隐私政策