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  • MOS场效应管开关特性中gm漏极电压依存性和等效电路-竟业电子

       时间:2023/2/22       阅读:496    关键词:MOS场效应管

     

    MOS场效应管开关特性中gm漏极电压依存性和等效电路
    Cgd和gm的漏极电压依存性

    如下图所示

    MOS场效应管开关特性中gm漏极电压依存性和等效电路

    MOS场效应管开关特性中gm漏极电压依存性和等效电路

    VGS > VDSCgd为漏极电极正下方的氧化 膜电容Cgd0。
    VGSDS,在漏极区域中的耗尽层也开始扩展,Cgd<gs

     

    在此将漏极表面P反转的阈

    电压=0,并以此为基础考虑开关工作

     

    漏极电压VDS>VDS(sat)的范围内处于饱和区域

    VDS(sat)DSGSCgd=Cgd0
     

    等效电路

    如下图所示

    MOS场效应管开关特性中gm漏极电压依存性和等效电路

    MOS场效应管开关特性中gm漏极电压依存性和等效电路

    输入电容的充/放电时间常数

    计算公式

    τ1≈RgCgsVDS > VGS

    τ1'≈Rg{Cgs+(1+gmRL)Cgd}(VDS(sat)<VDS<VGS


    VDS=VDS(sat)时处于非饱和区域,等效电路(d)所示,时间常数可通过以下公式来计算:
    τi≈Rg(Cgs+Cgd0)

     

     

     

     

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