MOS场效应管开关特性中gm漏极电压依存性和等效电路
Cgd和gm的漏极电压依存性

如下图所示

VGS > VDS，Cgd为漏极电极正下方的氧化 膜电容Cgd0。
VGSDS，在漏极区域中的耗尽层也开始扩展，Cgd<gs。

 

在此将漏极表面P反转的阈

若电压=0，并以此为基础考虑开关工作

 

漏极电压，在VDS>VDS(sat)的范围内处于饱和区域

VDS(sat)DSGS，Cgd=Cgd0
 

等效电路

如下图所示

输入电容的充/放电时间常数

计算公式：

τ1≈RgCgs（VDS > VGS）

τ1'≈Rg{Cgs+(1+gmRL)Cgd}(VDS(sat)<VDS<VGS

VDS=VDS(sat)时处于非饱和区域，等效电路(d)所示，时间常数可通过以下公式来计算：
τi≈Rg(Cgs+Cgd0)

 

 

 

 

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