1.对策内容

将电阻与二极管并联插入功率MOS场效应管的栅极会延迟导通时间。由此来控制内部二极管的di/dtdv/dt，并减小恢复电流(此时，即使不延迟切断时间也可以)。

对策电路

内部二极管的电流，电压波形

对策前

对策后

电路常数、其他

R=3302~8202(di/dt =20~50A/us)

 

2.对策内容

将各个L与二极管并联插入功率MOS场效应管的漏极，可控制di/dt，并能减小回复电流irr。

对策电路

内部二极管的电流，电压波形

对策前

对策后

电路常数、其他

L=2uH~20uH

 

3.对策内容

将C或CR缓冲插入功率MOS场效应管的漏极/源极之间，可抑制内部二极管的dv/dt及峰值电压。

对策电路

内部二极管的电流，电压波形

对策前

对策后

电路常数、其他

R=10~472C=0.01uF~

0.1uF必须尽量缩短缓冲布线。

 

4.对策内容

在电源线的(+)、(-)引脚各臂的漏极/源极之间(N/N时) 连接旋转等的旋转布线及C，直接附加上臂与下臂的布线将寄生电感控制在最小限度并控制峰值电压及dv/dt。

对策电路

内部二极管的电流，电压波形

对策前

对策后

电路常数、其他

必须并用1-3图的对策。

 

5.对策内容

通过连接外置高速二极管来避免在功率MOS场效应管的内置二极管中产生电流。

 

对策电路

内部二极管的电流，电压波形

对策前

对策后

 

 

 

 

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