功率MOS场效应管的Ｄ系列、 S系列如下图所示

 

在源极与漏极之间等效地内置二极管。

该二极管的正向 电流和击穿电压额定值具有与功率MOS场效应管的电流和电压额定值相同的性能。

此二极管的VF－IF特性如下图

 

反向恢复时间trr的波形如下图

 

内部二极管与FRD的trr比较

将各品种二极管与快速恢复二极管进行了比较。

可看出，此二极管具有与普通二极管相当的特性， 并且在用于马达驱动等的桥式电路和PWM放大器的输出时，不用外置整流二极管，从而能够减少元件数。

 

将VGS正向偏置后，会形成沟道，并且在两个方向流入的电流相同，而在小电流区域， VF为IF×Ron的直线，比普通二极管要小，在某些用途中，更能发挥其优势。

 

 

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