功率 MOS场效应管具有优秀的高速 / 高频等显著特性，应用于可发挥其特长的高速开关稳压器和大输出广播发 射机等。

固有MOS场效应管截止频率通过相互电导与输入电容的比来定义，普通的MOS FET也可以达到数GHz。在实际的器件中，截止频率受到栅极寄生电阻和输入电容的限制，在MOS FET饱和区域的等效电路如下图所示：

 

通过该图中的电压增益下降3dB来定义截止频率fC，可近似的表示为以下公式：

A0=低域中的电压增益

Rg=栅极的串联电阻

上图将具有硅栅的功率MOS FET的各参数 （计算值）代入到上面公式，分别计算出纵向/横向结构的截止频率。

在横向结构

Cgd与Cgs相比非常的小，可以忽略不计

在纵向结构

Cgd较大，因此成为低域中电压增益A0的函数

 

可得出：

1.电压增益较小时，纵向/横向结构的截止频率为同等程度，但fC的输入阻抗比是通过Rg的比得来的，所以纵向结构为1.5～2倍的低阻抗。

2.因反馈电容Cgd的影响较大，所以高增益放大电路的纵向结构频率特性比横向结构频率特性要好。

 

在改善频率特性

使用低电阻材料的金属等可以改善截止频率1～2位数，下图表示实际测量的代表品种频率特性及该测量电路，图中的2SK317使用金属作为栅极材料。

 

 

 

 

 

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