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- MOS场效应管栅极模型-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管内部：由多个单元即小MOSFET并联组成，在显微下，AOT460内部构图
内部栅极等效模型b
MOSFET结构决定栅极电路为RC网络。
MOS场效应管关断过程中
栅极电压VGS下降
从等效模型得出
晶元边缘的单元，先达到栅极关断电压VTH而先关断。
中间的单元，因RC网络的延迟，滞后达到栅极关断电压VTH而后关断。
MOS场效应管加负载=感性负载
因电感电流不能突变，导致流过MOSFET的电流向晶元的中间流动，
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- SiC MOS场效应管解决方案及注意事项-SiC MOS场效应管知识-竟业电子
- 单元电池中用：硅IGBT，一般在1200V到1700V。
在单元电池级用1700V SiC MOSFET
主要作用：提高功率处理能力和电气性能
1700V SiC MOS场效应管的开关损耗很低，开关频率可增加，单元电池大小可缩小
1700V的高阻断电压，可减少达到相同直流链路电压所需的单元电池数量，系统可靠性提高，成本下降。
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- MOS场效应管的雪崩极限值-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管雪崩极限值是产品处理瞬时过压能力的指示。
如果电压超过漏源极限电压，将导致器件处在雪崩状态。
这个强度是根据背板温度为25 C ˚ 时漏极接不钳位电感，器件非重复关断所能承受的能量来定义的。这个能量水平在背板温度越高时越小
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- MOS场效应管基于缓启时间参数计算公式-MOS场效应管知识-竟业电子
- 计算栅极阈值电压
设NMOS场效应管的导通阈值电压为Vth，导通时的导纳为gfs(max)，则考虑到阈值电压与导纳的作用，存在关系：
Vplt=Vth+Iinrush/gfs(max)
导纳gfs(max)可以在NMOS的手册中查到，选择Cgd’时应该保证：
Cgd’>>Cgs+Cgd
VDD*Cgs/(Cgs+Cgd’)
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- 电源效率与MOS场效应管的关系-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管的G S两级间有电容存在，因此电容让驱动MOS变得不确定。
在理想状态下
MOS场效应管开关速度越快越好
因：开关时间越短，开关损耗越小
即MOS管驱动电路决定电源效率
MOS管
若把GS间的电压，从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，
即MOS管开启的速度会越快。
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- NMOS场效应管反相器工作原理及构成电路分析-竟业电子
- NMOS场效应管逻辑门电路组成：Ｎ沟道MOSFET
NMOS逻辑门电路基本构件：NMOS反相器
工作管：增强型元件，负载管可强型也可耗尽型。
是以增强型元作为负载管的NMOS反相器的工作原理,NMOS场效应管反相器原理电路
T1=工作管
T2=负载管
gm2=T2管的跨导
gm1=T1管的跨导
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