如下电路中，MOS场效应管作开关 com1=高电平 out=12V com1=低电平 out=0V out外接电路电流在30mA内 工作一段时间后，com1=0V，out输出也有11V多 但是MOS管失效 原因：A3401 MOS场效应管的Vgs最大极限是12V，属于开启门限低的； 3401 GS的电压最大是12V，电源是12.5V左右

上图加热电路 用MCP1402 驱动， U18  MCP1402的3脚 接单片机的PWM输出口 5脚 out脚接mos管 C145处放置一个1uf电容连接mos管。 PWM信号用电容连接mos管更安全可靠 原因：电容是通交阻直流，当MCP1402前级出现故障，直接满PWM输出时，可以限制后端的加热功率。

MOS场效应管和二极管是DC-DC转换器拓扑产生功耗的主因。 损耗：传导损耗和开关损耗。 在电流流过回路，器件导通时，MOSFET导通电阻RDS(ON)与二极管的正向导通电压决定传导损耗。 MOS场效应管传导损耗 PCOND(MOSFET) (使用平均电流) = IMOSFET(AVG)²*RDS(ON)*D

静电感应型结型场效应晶体管： （a）横截面 （b）原理图符号 静态感应场效应晶体管即SIT 它是一种短沟道元器件，带有掩埋栅极 如上图，它并不是一种信号比较小的设备图，而是一种功率设备图。 快速开关器件构成： 低栅极电阻 + 低栅极至源极电容

MOS场效应管应用中提高漏极电感的解决方案 在漏极串联镍锌磁珠，提高漏极电感，减缓漏极的电流变化，降低米勒振荡 此解决方案：改善EMC 优势：效果比较好 缺点：如果应用于高频率强电流，磁珠因高发热失效。 PCB布线时，人为引入布线电感，增长MOS场效应管漏极、源极的PCB布线长度

R2是G级的串联电阻 串联电阻的原因：寄生电容 在G级串联一个电阻 与 Ciss（Ciss = Cgd+Cgs） 形成一个RC充放电电路，可减小瞬间电流值 保证MOS管驱动芯片不被弄坏 或是抑制振荡 MOS管接入电路，有引线产生的寄生电感，与寄生电容一起，形成LC振荡电路。 开关方波波形，是有很多频率成分，它可能与谐振频率相同或者相近，形成串联谐振电路。

在源极输出电路中进行多种振荡现象，源极输出电路的输入阻抗实数为负、虚数为0频率下振荡 ，功率MOS场效应管源极输出电路，此解决方案缺点： 会让MOS场效应管的频率特性恶化 在设计中必须保持相对于异常振荡的 稳定性与特性的平衡，同时加入栅极电阻。 在D系列时漏极为外壳，因此散热板与外壳之间几乎没有电容， 可减少公式 中的CL，并且提高相对于异常振荡的稳定性。

MOS场效应管降低基本电路通态电阻解决方案 让Q2的栅极电位进行，正方向电平移位 降低通态电阻或者饱和电压， 如下图所示此电路也与基本电路相同 等效的漏极/源极击穿电压值约 使用单个场效效应管时的2倍

MOS场效应管内部二极管用作马达控制基本电路及工作波形，当功率MOS场效应管的内部二极管用作马达控制电路中的整流二极管，强制性通入电流，并随后外加反向电压 时，该二极管可能会因电路和工作条件发生损坏。

功率MOS场效应管的Ｄ系列、 S系列，在源极与漏极之间等效地内置二极管。 该二极管的正向 电流和击穿电压额定值具有与功率MOS场效应管的电流和电压额定值相同的性能。各品种二极管与快速恢复二极管进行了比较。 可看出，此二极管具有与普通二极管相当的特性， 并且在用于马达驱动等的桥式电路和PWM放大器的输出时，不用外置整流二极管，从而能够减少元件数。