NMOS场效应管逻辑门电路组成：Ｎ沟道MOSFET

NMOS逻辑门电路基本构件：NMOS反相器

工作管：增强型元件，负载管可强型也可耗尽型。

 

是以增强型元作为负载管的NMOS反相器的工作原理

NMOS场效应管反相器原理电路

T1=工作管

T2=负载管

gm2=T2管的跨导

gm1=T1管的跨导

都是增强型器件

T1与T2制成工艺相同，开启电压VT相同

T2栅极与漏极同接电源VDD，T2总工作在恒流区，导通状态。

 

当输入vI=高电压，vI>VT，T1导通，输出vO；

vI=低电压值，由T1，T2两管导通时，由呈现的电阻值之比决定。

gm1 > gm2，以保证输出低电压值在+1V左右。

 

当输入电压vI=低电压，vI，T1截止，输出vO为高电压。

T2一值导通状态，因此输出高电压值约为VDD—VT。

gm1=100～200

=gm2=5～15

T1导通，等效电阻Rds1=3～10kΩ

T2的Rds2=100～200kΩ

负载管导通电阻，是随工作电流而变化的非线性电阻。

 

NMOS门电路：在NMOS反相器上制成

NMOS或非门电路

如下电路

输入A，B中任一个为高电平，与它对应的MOSFET导通时，输出为低电平；

A、B全为低电平时，所有工作管都截止时，输出才为高电平。

可见电路具有或非功能，即

或非门工作管：并联，增加管子数，输出低电平基本稳定，整体电路设计简便。

NMOS门电路是以或非门为基础。

应用于大规模集成电路。

 

逻辑门电路性能

如下图所示

技术参数传输延迟时间Tpd和功耗PD

 

 

 

 

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