在MOS场效应管的G S两级间有电容存在，因此电容让驱动MOS变得不确定。

 

在理想状态下

MOS场效应管开关速度越快越好

因：开关时间越短，开关损耗越小

即MOS管驱动电路决定电源效率

 

MOS管

若把GS间的电压，从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，

即MOS管开启的速度会越快。

 

若把GS电压，从开启电压降到0V的时间越短

即MOS管关断的速度也越快

 

得出结论

若在更短时间内把GS电压，拉高或拉低，就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。

 

如：PWM芯片输出直接驱动MOS

或 三极管放大后再驱动MOS

他们的缺陷：是在瞬间驱动电流

 

最好的解决方案：用专用MOS场效应管驱动芯片

 

 

 

 

 

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