基于缓启时间的参数计算

如下图所示

电路进行缓启时间的计算，可推出Cgd’，Rg和Rgd的参数要求。

dv/dt控制电路原理图

 

计算缓起时间

负载电容为Cload，电源电压为Vdd，允许最大冲击电流为Iinrush，则由I=Cdv/dt，可以得出：

dt=Cload*Vdd/Iinrush

 

计算栅极阈值电压

设NMOS场效应管的导通阈值电压为Vth，导通时的导纳为gfs(max)，则考虑到阈值电压与导纳的作用，存在关系：

Vplt=Vth+Iinrush/gfs(max)

导纳gfs(max)可以在NMOS的手册中查到

选择Cgd’时应该保证：

Cgd’>>Cgs+Cgd

VDD*Cgs/(Cgs+Cgd’)

 

栅极电流计算

设栅极电流为Igd，NMOS场效应管的D、S两极之间的电压为VDS，则存在以下关系：

Igd=Cgd’*dVDS/dt

 

计算串阻RG阻值

基于栅极电流的计算，以及栅极阈值电压，可以得出：

VGG=Vplt+Igd*RG

即：RG=(VGG-Vplt)/Igd

选择RGD

RGD<，选择合适的阻值即可。