MOS场效应管的雪崩极限值-MOS场效应管知识-竟业电子

   时间:2023/5/11      阅读:1835   关键词:MOS场效应管

MOS场效应管雪崩极限值是产品处理瞬时过压能力的指示。

如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态。

这个强度是根据背板温度为25 C ˚ 时漏极接不钳位电感,器件非重复关断所能承受的能量来定义的。这个能量水平在背板温度越高时越小,如图13

MOS场效应管的雪崩极限值

无重复意味着电路不应设计成使功率MOS重复处于雪崩状态。运行该能力只允许意外的电路条件导致瞬时过压发生时,器件能够幸免损坏。

 

飞利浦的新一代中压 MOS场效应管也具有重复雪崩能。

根据背板温度为25 C ˚ , MOS场效应管漏极接无钳位电感反复切换所能承受的能量,它表明器件能够经得住反复瞬间漂移到雪崩击穿状态,并且结温不超过极限值。

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