MOS场效应管内部：由多个单元即小MOSFET并联组成

如下图所示

在显微下，AOT460内部构图

内部栅极等效模型b

MOSFET结构决定栅极电路为RC网络。

 

MOS场效应管关断过程中

栅极电压VGS下降

从等效模型得出

晶元边缘的单元，先达到栅极关断电压VTH而先关断。

中间的单元，因RC网络的延迟，滞后达到栅极关断电压VTH而后关断。

 

MOS场效应管加负载=感性负载

因电感电流不能突变，导致流过MOSFET的电流向晶元的中间流动，

如下图所示

此会让MOS场效应管局部单元过热，致MOSFET局部单元损坏。

 

若：MOS场效应管加快关断速度，即尽量快速关断，否则能量产生集聚点，会因局部单元过热，导致MOS场效应管损坏。