两个N沟道MOS场效应管背对背连接，阻断电路中两个方向电流的电路 必须选择合适的集成电路，即用于MOSFET的驱动器，或是包含MOSFET和驱动器的封装。 通常需要使用负载开关，可选的范围并不大。 在很多情况下，可使用热插拔控制器、电子保险丝、浪涌保护器、理想二极管和电源路径控制器，具体取决于应用和所需的额外监控功能。

电池充电系统 关键：充电器本身+电量计 电量计：告电池指标 如：电池的充电状态SOC、剩余电量使用时间和电池充满所需时间。 电量计可以集成在主机端，或者集成在电池包中。集成在电池包中，电量计需要使用非易失性存储器来存储电池信息。 电源路径中的MOS场效应管监测充电/放电电流，保护电池免于遭受危险。

电源模块体积小，在EMC要求比较高的场合，需要增加额外的浪涌防护电路，以提升系统EMC性能。如上图所示，提高输入级的浪涌防护能力，在外围增加了压敏电阻和TVS管。a与b目的：实现两级防护 但，可能适得其反。

因快速充电期间的电流很高，OEM必须要确保安全充电。因此，作为整个电池管理的一部分，智能快速充电器必须能够监测多个重要参数。在根据电池制造商规格和建议监测电池温度和环境/室温的情况下，快速充电器可以确定何时降低充电电流和/或降低端电极电压，以确保电池安全，延长电池的使用寿命。

电池供电和隔离电子设备的出色之处在于：它可以在任何位置设置接地。在最方便的电路拓扑结构中，可在不丧失通用性的情况下检测电流，同时将终端放置在与本地接地相关的任何位置。 单极电流，如4 mA至20 mA的工业环路，可以用传统的低侧拓扑结构来安全检测与本地接地相关的电流。

SiC 电源开关和 IGBT 的典型开关频率和功率级别 均可适用于 1kW 及以上的功率级别 SiC 电源开关比 IGBT传统硅电源开关，更有优势 1.电阻和电容更低，功率损耗低，效率提升。 2.开关速度快，开关损耗降低，率转换效率提升，能源产量更高，功率转换器输出提升。 可应用于光伏逆变器、储能系统，直流快充电源模块。

开关调节器，快速开与关的瞬变有好处 原因：降低开关模式电源中开关损耗。 在高开关频率，可提高开关调节器效率。 缺点 开关转换频率=20 MHz~200 MHz，快速增加干扰 开关模式电源解决方案：必在高频率范围内，在高效率和低干扰间 快速和慢速开关转换如下图所示

DC-DC转换器为何要接近负载点POL电源 作用：提高电源轨电压精度+效率+动态响应 原因：POL转换器受益应用高性能CPU、SoC和FPGA，对功率级要求高 汽车高级驾驶员辅助系统ADAS，雷达激光雷达和视觉系统 它们用传感器数增加，这样可能要更快数据处理，以最小延迟检测和跟踪周围的物体。 在数字系统，用高电流，低电压，电源和负载的距离要缩短。

单管 1 in1模块 单管模块组成：几个IGBT并联 如，它能达到一定的所要的电流规格 即可把它视为大电流规格的IGBT单管。 IGBT管芯面积：因机械强度和热阻影响，它的面积不能太大 大电流规格IGBT：需多个管芯装配到一块金属基板上。主发射极连接到主电路中 副发射极即第二发射极连接到栅极驱动电路

低传播延迟 在高频电源系统中很重要 因SiC MOS场效应管等WBG器件，可用高频电源系统。 在这些系统中，更高的频率能够最大程度地减少滤波组件，从而最大程度地减小系统，因此能够实现更高的功率密度。 更高的频率即有更高的开关损耗，要降低损耗。 传播延迟是栅极驱动器的关键参数之一 它可能会影响高频系统的损耗和安全性