低传播延迟 在高频电源系统中很重要 因SiC MOS场效应管等WBG器件，可用高频电源系统。 在这些系统中，更高的频率能够最大程度地减少滤波组件，从而最大程度地减小系统，因此能够实现更高的功率密度。 更高的频率即有更高的开关损耗，要降低损耗。 传播延迟是栅极驱动器的关键参数之一 它可能会影响高频系统的损耗和安全性

UVLO 监视栅极驱动器的电源引脚，以确保电压保持在 特定的阈值以上，从而确保正常工作，对于MOS场效应管，与较高的驱动电压相比，其导通损耗将高得多。 高导通损耗的结果，导致更低的效率和发热，从而缩短寿命。 一个次要的考虑因素 是栅极驱动架构。

功率密度是衡量在给定空间内，可处理多少功率的指标，可量化为每单位体积处理的功率量，单位：瓦/立方米 (W/m3) 或瓦/立方英寸 (W/in3)。 它的值：基于转换器的额定功率和电源解决方案 箱体体积=长度 x 宽度 x 高度

IGBT 和 SiC MOS场效应管在开关瞬变期间，会因电压和电流重叠而产生损耗，栅极电流或驱动强度，决定器件输入电容器的充电和放电速度，栅极电流增大，tsw减小 电流过小，损耗升高 栅极电荷QG决定，所需栅极驱动强度

在该夹断区域中，栅极电压、VGS控制沟道电流，VDS几乎没有影响。 结果：FET的作用更像一个电压控制电阻器 当VGS=0时，电阻值=0 当栅极电压非常负时，电阻最大为“ON”，在正常操作条件下，JFET栅极总是相对于源极负偏置。 重要：栅极电压永远不会是正的 原因：是正，所有的沟道电流都会流到栅极而不是源极 结果：会损坏JFET，关闭通道

像双极结晶体管一样，JFET可以用于制造具有JFET公共源极放大器的单级A类放大器电路，其特性与BJT公共发射极电路相似。 JFET放大器优势 它们的高输入阻抗，R1和R2形成的栅极偏置电阻网络控制。该共源（CS）放大器电路由电阻器R1和R2形成的分压器网络以A类模式偏置。源极电阻器RS两端的电压通常被设置为大约VDD的四分之一（VDD/4），但可以是任何合理的值。

MOS场效应管：低导通损耗 但取决于，器件的漏源导通电阻 RDS(ON) 与导通状态电压。 Si MOS场效应管承载的电流小于IGBT IGBT 用于：大功率。 MOSFET用于： 重视高效率的高频应用。 SiC MOS场效应管 与 Si MOSFET 相似 SiC是一种 WBG材料，其特性允许这些器件在与 IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。 这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。

Si MOS MOS场效应管和IGBT已在电源转换器中使用了很久。 SiC MOSFET：已成为一项新技术，鉴于其固有的材料特性（宽带隙 (WBG) 材料） 优势：已超过这些器件。

SiC MOS场效应管：功率因数校正电源、光伏逆变器、 EV/HEV 的直流/直流、 EV 的牵引逆变器、电机驱动器和铁路。 IGBT：电机驱动器或交流电机，不间断电源 (UPS)、小于 3kW 的集中式，串式光伏逆变器，牵引逆变器 EV/HEV 。

不同：晶体管作为开关操作，晶体管需要完全“关”（截止）或完全“开”（饱和）。 理想状态 晶体管开关在“完全关闭”时，集电极和发射极之间的电路电阻为无穷大，导致流过它的电流为零， 在“完全打开”时，集电极和发射体之间的电阻为零，导致电流最大。