如下图所示，功率级PCB设计中，器件引线和优化布局，引起寄生电感和电容，会导致电压振铃，致MOS场效应管电压应力。

功率级半桥中的寄生电感和电容

振铃

原因：二极管反向恢复

因快速开关，引起高电流变化率，导致高二极管反向恢复电流，它流经寄生布局电感。

因MOS场效应管电容和寄生电感形成的谐振网络，引起相位节点振铃，减少电压裕度并增加了器件的应力。

如下图，因电路寄生效应，引起有分立MOS场效应管相位节点电压振铃。

 

用电源模块，有连接两个MOS场效应管开关节点夹，将高侧和低侧MOSFET间寄生电感保持，在绝对最小值。

封装相同，用低侧和高侧FET可最大限度地减少PCB寄生，减少相节点电压振铃。

 

用此电源模块，利于保证平滑驱动MOS场效应管开关，即在电流50A，也可避免电压过冲。

带有电源模块的清洁相位节点切换波形，如下图所示：