英飞凌infineon OptiMOS™ 是发电（如太阳能微型逆变器）、供电（如服务器和电信）和耗电（如电动汽车）高效解决方案的市场领导者。 英飞凌infineon MOS场效应管BSC123N08NS3G功能概述 1.DC-DC变换器的优化技术 2.优秀的栅极电荷x rd（ON）产品（FOM） 3.优异的耐热性 4.双面冷却 5.低寄生电感 6.薄型（<0.7mm） 7.N通道，正常电平 8.100%雪崩测试 9.无铅电镀；符合RoHS 英飞凌infineon MOS场效应管BSC123N08NS3G应用 1.太阳能 2.消费者 3.电信 4.服务器 5.PC电源 6.直流-直流 7.交直流 8.适配器 9.开关电源 10.发光二极管 11.电机控制

驱动电路加速MOS场效应管关断时间，高端MOS场效应管驱动，一般用变压器驱动，安全隔离用变压器驱动； R1作用：抑制PCB板上寄生电感与C1形成LC振荡； C1作用：隔开直流，过交流，防止磁芯饱和。关断瞬间驱动电路，能提供低阻抗通路，供给MOS场效应管栅源极间电容电压快速泄放，可确保开关关断速度； 栅源极间电容电压快速泄放，在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管 D1=快恢复二极管 关断时间减小，关断损耗减小。 Rg2作用：防止关断时电流过大，电源IC烧坏。

SiC-MOS场效应管逆向导通实现高效同步整流电路 Si-IGBT不能逆向导通 但SiC-MOS场效应管可通过体二极管实现逆向导通。 通过输入栅极信号，实现MOS场效应管逆向导通 与二极管比较，实现低电阻。 与二极管整流方式比较， 逆向导通特性，可以在1000V或以上范围，用高效同步整流方式技术。 即可把二极管通电劣化解决，即使1000小时或以上通电时间也没有特性劣化 罗姆研究表明，体二极管接电缺陷扩大机理，产生劣化可通过工艺元件结构控制。 接电时间大于20小时后，导通电阻即增大，但SiC-MOS场效应管接电1000小时或以上，都 不会导致导通电阻增大

英飞凌的100V OptiMOS™ 功率mosfet为高效率、高功率密度开关电源提供了优越的解决方案。与下一个最好的技术相比，这个系列在rd（on）和FOM（figure of merit）方面都减少了30%。 英飞凌MOS场效应管IPB042N10N3G 功能概述 出色的切换性能 世界最低研发率（on） 极低的qg和qgd 优秀的栅极电荷x rd（on）产品（FOM） 符合RoHS标准的无卤素 MSL1等级2 优势 环境友好型 提高效率 最高功率密度 需要较少的并联 最小的电路板空间消耗 易于设计的产品

英飞凌CoolMOS™ P7系列950 V CoolMOS P7超结MOS场效应管； 950 V CoolMOS P7封装：TO-252 DPAK+TO-220 FullPAK+TO-251 IPAK LL+SOT-223 低功率SMPS+更高密度高压MOS场效应管； 应用于：照明+智能电表+移动充电器+笔记本适配器+AUX电源和工业SMPS 全新半导体解决方案，可实现高散热性能+能源效率，节约成本； MOS场效应管950 V CoolMOS P7特点 1.DPAK导通电阻 2.更高密度设计 3.最低VGS(th)容差+VGS(th) 4.应用于驱动设计非常出色

MOS场效应管检测损耗，一般情况是人工计算，如PFC MOSFET开关损耗靠经验，要量化评估，应该如何检测。MOS场效应管工作功率损耗：（导通+关闭）过程+导通状态（少量） 关闭状态损耗≈0 一般MOS场效应管周期不同，电压电流波形相同，整体功率损耗检测可取任一周期， PFC MOS场效应管，周期不同，电压电流波形不同，功率损耗计算准确值，即要在 时间>10ms，高采样率波形捕获，可在1G采样率，需存储深度10M或以上，原始数据是不能抽样，但要列进去一起计算功率损耗

MOS场效应管开关电源PFC激励应用电路及等效电路，并联开关电源 L1=储能电感， D10=整流二极管 Q1，Q2=开关管 Q1与Q2并联 Q1与Q2栅极都有充电限流电阻和放电二极管 R16=Q2限流电阻（激烈信号=正半周，对Q2栅极等效电容充电，此时的电阻） D7=Q2放电二极管（激烈信号=负半周，Q2栅极等效电容放电，此时的二极管） R14、D6=Q1放电二极管（充电限流电阻和放电） R17和R18=Q1和Q2的关机栅极电荷泄放电阻 D9=开机瞬间浪涌电流分流二极管

灌流电路解决MOS场效应管输入端内阻+激励电流，让减少内阻并增加电流； 为何要用灌流电路 MOS场效应管特性容性输入，输入端=小电容器，输入开关激励信号即对电容反复的充电+放电，在此过程中，MOS场效应管导通和关断滞后，开关速度变慢。 A方波=输入端激励波形 电阻R=激励信号内阻 电容C=输入端等效电容 激励波形A加到输入端，即对等效电容C充放电 输入端实际电压波形变成B畸变波形，开关管即损坏。 那么，如果R非常小，激励信号提供足够电流，等效电容即可充放电，即MOS场效应管可开与关，正常工作，因此我们就要用灌流电路解决此问题。

NMOS场效应管怎么防止电源反接 如果电源反接，电路中的元器件将被损坏，可是电源反接在电路中是不可回避的问题，所以我们只能在电路中加入保护电路。 传统解决方案 电源正极串联二极管 因：二极管有压降，即有损耗，若电池供电场，电池使用时间减短。 MOS场效应管防反接 优势：小压降，可忽略； 如：过电流=1A   即压降=6.5毫伏 接电，NMOS场效应管寄生二极管导通，S≈0.6V，G极电位VBAT  VBAT-0.6V>UGS阀值开启电压，MOS场效应管DS导通，内阻小，即寄生二极管短路，压降≈0。 电源反接：UGS=0，MOS管不导通，与负载回路断开，电路安全。

MOS场效应管基本知识 MOS场效应管开关模型寄生参数： 驱动过程分析：CGS，CGD，CDS 漏极扰动对MOSFET影响：DS间寄生三极管（内部三极管导通而雪崩+CGD耦合引起门极电位上升元件误导通） 体内寄生三极管+体二极管 体二极管：它的反向恢复时间tf很难处理，能直接影响开关管性能和损耗，它是工艺制成的副作用。  导通过程 在开关模型中执行 1.PWM高电平信号经过功率放大转换，对门极充电。 2.电流流过：CGS充电经过源极负载回到地+CGD充电 第一阶段：CGS电位上升，满格到达门极开启电压，DS沟道间开始出现电流，然后结束；