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- 小讯号MOS场效应管电路转换效率提升
- DC-DC降压转换器设计中萧特基二极体替换成MOS场效应管，压转换器效能可提高升，
开关週期电流相位中开启。DC-DC升压转换器拓扑，PCB架构NXP小讯号MOS场效应管DC-DC降压转换器。
MOS场效应管：SOT457+SOT23+SOT223+DFN2020MD-6（SOT1220）等小型表面组装元件（SMD）技术封装，低导通电阻+开关性能良好
PCB电路板拓扑用Linear Technology控制器，2个N通道MOS场效应管构成开关层级，
高端开关能通过电感连接节点，直达输入电源，用高于输入电压本身控制电压。
额外电压：用于上级MOSFET闸极控制
→电荷帮浦产生→电容C25连接至开关节点+开关后的输出→萧特基二极体连接稳定电压INTVCC接脚12，内部5伏特低压差线性稳压器LDO提供INTVCC。
低端开关打开，电容通过二极体充电，C25一端接地
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- 英飞凌BSC123N08NS3G功能参数-MOS场效应管-竟业电子
- 英飞凌infineon OptiMOS™ 是发电（如太阳能微型逆变器）、供电（如服务器和电信）和耗电（如电动汽车）高效解决方案的市场领导者。
英飞凌infineon MOS场效应管BSC123N08NS3G功能概述
1.DC-DC变换器的优化技术
2.优秀的栅极电荷x rd（ON）产品（FOM）
3.优异的耐热性
4.双面冷却
5.低寄生电感
6.薄型（<0.7mm）
7.N通道，正常电平
8.100%雪崩测试
9.无铅电镀；符合RoHS
英飞凌infineon MOS场效应管BSC123N08NS3G应用
1.太阳能
2.消费者
3.电信
4.服务器
5.PC电源
6.直流-直流
7.交直流
8.适配器
9.开关电源
10.发光二极管
11.电机控制
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- 驱动电路加速MOS场效应管关断时间-MOS场效应管应用-竟业电子
- 驱动电路加速MOS场效应管关断时间，高端MOS场效应管驱动，一般用变压器驱动，安全隔离用变压器驱动；
R1作用：抑制PCB板上寄生电感与C1形成LC振荡；
C1作用：隔开直流，过交流，防止磁芯饱和。关断瞬间驱动电路，能提供低阻抗通路，供给MOS场效应管栅源极间电容电压快速泄放，可确保开关关断速度；
栅源极间电容电压快速泄放，在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管
D1=快恢复二极管
关断时间减小，关断损耗减小。
Rg2作用：防止关断时电流过大，电源IC烧坏。
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- SiC-MOS场效应管逆向导通-MOS场效应管应用-竟业电子
- SiC-MOS场效应管逆向导通实现高效同步整流电路
Si-IGBT不能逆向导通
但SiC-MOS场效应管可通过体二极管实现逆向导通。
通过输入栅极信号，实现MOS场效应管逆向导通
与二极管比较，实现低电阻。
与二极管整流方式比较， 逆向导通特性，可以在1000V或以上范围，用高效同步整流方式技术。
即可把二极管通电劣化解决，即使1000小时或以上通电时间也没有特性劣化
罗姆研究表明，体二极管接电缺陷扩大机理，产生劣化可通过工艺元件结构控制。
接电时间大于20小时后，导通电阻即增大，但SiC-MOS场效应管接电1000小时或以上，都 不会导致导通电阻增大
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- 英飞凌IPB042N10N3G功能参数Datasheet-MOS场效应管知识-竟业电子
- 英飞凌的100V OptiMOS™ 功率mosfet为高效率、高功率密度开关电源提供了优越的解决方案。与下一个最好的技术相比，这个系列在rd（on）和FOM（figure of merit）方面都减少了30%。
英飞凌MOS场效应管IPB042N10N3G
功能概述
出色的切换性能
世界最低研发率（on）
极低的qg和qgd
优秀的栅极电荷x rd（on）产品（FOM）
符合RoHS标准的无卤素
MSL1等级2
优势
环境友好型
提高效率
最高功率密度
需要较少的并联
最小的电路板空间消耗
易于设计的产品
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- 950 V CoolMOS P7超结MOS场效应管特点-竟业电子
- 英飞凌CoolMOS™ P7系列950 V CoolMOS P7超结MOS场效应管；
950 V CoolMOS P7封装：TO-252 DPAK+TO-220 FullPAK+TO-251 IPAK LL+SOT-223
低功率SMPS+更高密度高压MOS场效应管；
应用于：照明+智能电表+移动充电器+笔记本适配器+AUX电源和工业SMPS
全新半导体解决方案，可实现高散热性能+能源效率，节约成本；
MOS场效应管950 V CoolMOS P7特点
1.DPAK导通电阻
2.更高密度设计
3.最低VGS(th)容差+VGS(th)
4.应用于驱动设计非常出色
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- 检测MOS场效应管功率损耗注意事项-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管检测损耗，一般情况是人工计算，如PFC MOSFET开关损耗靠经验，要量化评估，应该如何检测。MOS场效应管工作功率损耗：（导通+关闭）过程+导通状态（少量）
关闭状态损耗≈0
一般MOS场效应管周期不同，电压电流波形相同，整体功率损耗检测可取任一周期，
PFC MOS场效应管，周期不同，电压电流波形不同，功率损耗计算准确值，即要在 时间>10ms，高采样率波形捕获，可在1G采样率，需存储深度10M或以上，原始数据是不能抽样，但要列进去一起计算功率损耗
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- 大功率MOS场效应管开关应用电路-MOS场效应管应用-竟业电子
- MOS场效应管开关电源PFC激励应用电路及等效电路，并联开关电源
L1=储能电感，
D10=整流二极管
Q1，Q2=开关管
Q1与Q2并联
Q1与Q2栅极都有充电限流电阻和放电二极管
R16=Q2限流电阻（激烈信号=正半周，对Q2栅极等效电容充电，此时的电阻）
D7=Q2放电二极管（激烈信号=负半周，Q2栅极等效电容放电，此时的二极管）
R14、D6=Q1放电二极管（充电限流电阻和放电）
R17和R18=Q1和Q2的关机栅极电荷泄放电阻
D9=开机瞬间浪涌电流分流二极管
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- 灌流电路如何保护MOS场效应管不被损坏-MOS场效应管应用-竟业电子
- 灌流电路解决MOS场效应管输入端内阻+激励电流，让减少内阻并增加电流；
为何要用灌流电路
MOS场效应管特性容性输入，输入端=小电容器，输入开关激励信号即对电容反复的充电+放电，在此过程中，MOS场效应管导通和关断滞后，开关速度变慢。 A方波=输入端激励波形
电阻R=激励信号内阻
电容C=输入端等效电容
激励波形A加到输入端，即对等效电容C充放电
输入端实际电压波形变成B畸变波形，开关管即损坏。
那么，如果R非常小，激励信号提供足够电流，等效电容即可充放电，即MOS场效应管可开与关，正常工作，因此我们就要用灌流电路解决此问题。
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- NMOS与PMOS场效应管防止电源反接电路-MOS场效应管应用-竟业电子
- NMOS场效应管怎么防止电源反接
如果电源反接，电路中的元器件将被损坏，可是电源反接在电路中是不可回避的问题，所以我们只能在电路中加入保护电路。
传统解决方案
电源正极串联二极管
因：二极管有压降，即有损耗，若电池供电场，电池使用时间减短。
MOS场效应管防反接
优势：小压降，可忽略；
如：过电流=1A 即压降=6.5毫伏
接电，NMOS场效应管寄生二极管导通，S≈0.6V，G极电位VBAT VBAT-0.6V>UGS阀值开启电压，MOS场效应管DS导通，内阻小，即寄生二极管短路，压降≈0。
电源反接：UGS=0，MOS管不导通，与负载回路断开，电路安全。
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