SiC-MOS场效应管逆向导通实现高效同步整流电路

Si-IGBT不能逆向导通

但SiC-MOS场效应管可通过体二极管实现逆向导通。

通过输入栅极信号，实现MOS场效应管逆向导通

与二极管比较，实现低电阻。

 

与二极管整流方式比较， 逆向导通特性，可以在1000V或以上范围，用高效同步整流方式技术。

即可把二极管通电劣化解决，即使1000小时或以上通电时间也没有特性劣化

 

罗姆研究表明，体二极管接电缺陷扩大机理，产生劣化可通过工艺元件结构控制。

接电时间大于20小时后，导通电阻即增大，但SiC-MOS场效应管接电1000小时或以上，都 不会导致导通电阻增大

 

 

MOS场效应管单体可保持开关特性不变

无尾电流，有着低开关损耗
 

去掉SBD，实现开关特性与以往产品同等。

无法产生Si-IGBT中尾电流，损耗即降低50％或以上，即节能。

 

Si-IGBT开关频率不可到50kHz以上，能实现外围设备轻量化+小型化。