DC-DC降压转换器设计中萧特基二极体替换成MOS场效应管，压转换器效能可提高升，

开关週期电流相位中开启。

如上图所示，DC-DC升压转换器拓扑，PCB架构NXP小讯号MOS场效应管DC-DC降压转换器。

MOS场效应管：SOT457+SOT23+SOT223+DFN2020MD-6（SOT1220）等小型表面组装元件（SMD）技术封装，低导通电阻+开关性能良好

 

PCB电路板拓扑用Linear Technology控制器，2个N通道MOS场效应管构成开关层级，

高端开关能通过电感连接节点，直达输入电源，用高于输入电压本身控制电压。

 

额外电压：用于上级MOSFET闸极控制

→电荷帮浦产生→电容C25连接至开关节点+开关后的输出→萧特基二极体连接稳定电压INTVCC接脚12，内部5伏特低压差线性稳压器LDO提供INTVCC。

低端开关打开，电容通过二极体充电，C25一端接地

Q2关闭，Q1打开，充电后电容连接至VIN，接脚BOOST即接脚14，测量电压VIN+INTVCC–VF（二极体正向电压）。

此设计的升压，可正确驱动高端开关，低电流萧特基二极体即可满足电荷帮浦；

控制器还整合0.8伏特精密基準电压，作为输出电压调节，降压转换器输出返回至FB接脚，

R41+ R39和R38组成电阻分压器调节输出电压

如下所示

VOUT=0.8V×（1+（R41+R39）/R38）

控制器 工作频率=恆定

高电流，即可控制DC-DC降压转换器输出电压

低电流，控制要求高，工作週期要调整，或要改变控制模，负载模式；

 

控制器工作模式：强制连续+高负载+脉衝跳跃

高负载模式：高效率，但涟波更大且电磁干扰EMI严重

选择哪种模式：取决于终端应用的规格和需求；