SiC-MOS场效应管应用于简单辅助电源性能，ROHM为了方便评估开发了评估板

 

准谐振开关AC/DC转换器中驱动1700V耐压SiC-MOS场效应管SCT2H12NZ应用BD768xFJ-LB。

准谐振工作有助于将开关损耗控制在最低并抑制EMI。

电流检测：通过外置电阻器；

通过使用轻负载时突发模式工作和降频功能，还可实现节能化与高效化。

 

SiC-MOS场效应管开关波形

如下图所示

通过不同输出负载波形，可提在接通SiC-MOS场效应管时谐振漏源电压变化。

用准谐振工作，最大限度地降低开关损耗和EMI.

轻负载Pout = 5W，突发工作模式结束，转准谐振工作模式

控制频率：是通过跳过很多波谷;

输出负载増加Pout = 20W，波谷数量减少，频率上升

接近最大输出负载，Pout = 40W，只有一个波谷，开关频率最大值120kHz

 

延长一次侧开关导通时间，可微调低开关频率并提高输出功率。

一次侧电流峰值增加，传输能量也增加Pout = 40W。

超过最大输出功率，过电流保护功能工作并阻止开关动作，避免系统过热。

 

首先，评估板因有两个工作点而以电流不连续模式（DCM）工作。然后，在最后一个工作点（40W）时正好达到电流临界模式（BCM）。根据不同的输入电压，DCM和BCM在不同的输出功率进行切换。

SiC-MOSFET辅助电源单元评估

 

 

如上图所示左侧，不同输入电压，最大40W负载范围输出12V电压效率。

测SiC-MOS场效应管外壳温度保持在90℃以下，SiC-MOS场效应管最大容许结温为175℃。

 

芯片与外壳间热阻< 外壳与环境间热阻

结温<上限值外壳，即安全。

 

评估板在高达40W输出功率，无需散热器可工作。

若：对SiC-MOS场效应管增加散热器，冷却输出整流二极管，则可实现更高输出功率。

SiC-MOS场效应管技术，可实现小型化并提高系统效率+可靠性+简洁性；