辅助电源一般电路，输入电压MOS场效应管最高耐压要1300V，为安全需余量一定电压，额定电压要有1500V，也可用绝缘击穿电压Si MOS场效应管，但是损耗大+要散热器成本增加；

如下图所示

用复杂拓扑结构，如双端反激式转换器方式+低电压器件串联等，设计难度+元件数量都增加。

用特定导通电阻1500V Si-MOS场效应管1/2的1700V SiC-MOS场效应管，辅助电源用简单单端反激式转换器拓扑，如下图所示

可得体积小+性能良好。

ROHM用完全塑封TO-3PFM封装+表面贴装型封装TO-268-2L技术，应用于高耐压SiC-MOS场效应管，可确保5mm和5.45m爬电距离。

 

SiC单端反激式拓扑结构高性价比实现控制IC

SiC-MOS场效应管反激式转换器辅助电源解决方案

用ROHM控制IC，此种方式是用反激式转换器安全可靠地驱动SiC-MOS场效应管，不因栅极驱动器IC变得复杂。

ROHM对应SiC-MOS场效应管，并满足各元器件栅极驱动所需条件的准谐振AC/DC转换器控制IC“BD768xFJ”已经生产。

此款控制IC与ROHM的1700V耐压SiC-MOS场效应管结合，可最大限度发挥效率与性能，

BD768xFJ可控制所有反激式电路+栅极电压驱动SiC-MOS场效应管，以达最佳性能，可通过栅极箝位功能和过载保护功能保护SiC-MOS场效应管。

控制IC  BD768xFJ封装小型SOP8-J8，

功能：电流检测外置分流电阻+过负载+输入欠压+输出过电压保护+软启动；

搭载了准谐振开关，以在全部工作范围内将EMI抑制在最低水平+降低开关损耗。

优化在低负载范围工作，控制器安装突发模式工作和降频功能。

 

如下图所示

 

用控制IC BD768xFJ和ROHM生产的1700V耐压SiC-MOS场效应管辅助电源电路。