超薄MOS场效应管驱动器VOL3120，封装SMD，高度=2.5mm

最小间隙和外部爬电距离为8mm。

 

特点

尺寸小

高隔离电压VIORM=1050V  VIOTM=8000V

具最佳的电气性能

过压锁定功能可保护MOS场效应管，

对共模瞬态的抑制能力超过48kV/μs，能消除来自PCB上低压区域的噪声。

工作损耗电流：最大2.5mA

典型延迟<250ns

典型上升和下降时间=100ns

潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-020 1级，仓储寿命不限

驱动器可在15V～32V电源电压和-40℃～+100℃的工业温度下工作。

 

应用于：

1.高工作电压+污染程度更严重条件，电机驱动+可替代能源+焊接设备。

2.MOS场效应管快速开关

 

超薄MOS场效应管驱动器 VOL3120高度比标准DIP封装的器件低30%，省空间，太阳能电池和电机驱动中的小尺寸逆变器等扁平外形的应用