灌流电路解决MOS场效应管输入端内阻+激励电流，让减少内阻并增加电流；

为何要用灌流电路

MOS场效应管特性容性输入，输入端=小电容器，输入开关激励信号即对电容反复的充电+放电，在此过程中，MOS场效应管导通和关断滞后，开关速度变慢。

如下图所示

 

 A方波=输入端激励波形

电阻R=激励信号内阻

电容C=输入端等效电容

激励波形A加到输入端，即对等效电容C充放电

 

输入端实际电压波形变成B畸变波形，开关管即损坏。

那么，如果R非常小，激励信号提供足够电流，等效电容即可充放电，即MOS场效应管可开与关，正常工作，因此我们就要用灌流电路解决此问题。

 

如上图所示

Q1，Q2=普通晶体三极管开关管

开关应用MOS场效应管Q3栅极S+激励信号间增加Q1、Q2

Q1与Q2串联

Q1=NPN型

Q2=PNP型

基极连接即PNP与NPN互补射极跟随器，

两管等效即两只方波激励信号控制下轮流导通的开关

 

如上图所示

 

到来激励方波信号正半周

Q1导通，Q2截止，VCC→Q1导通对Q3栅极充电

Q1饱和导通，VCC等效直接加到Q3栅极，瞬间充电电流极大，充电时间极短，Q3开速度快；

 

到来激励方波信号负半周

Q1截止，Q2导通，Q3栅极充的电荷→Q2放电，Q2饱和导通，放电时间非常短，Q3关断速度快；

 

 

MOS场效应管栅极S引线电流容量值一定，Q1饱和导通VCC对栅极S瞬时充电电流值过大，可能让元件损坏，即加一个保护电路即灌流电路，以限制瞬时充电电流值，栅极充电电路串联充电电限流电阻R；

R值：由MOS场效应管输入电容大小+激励脉冲频率+灌流电路VCC决定；