950 V CoolMOS P7超结MOS场效应管特点-竟业电子

   时间:2021/4/12      阅读:1186   关键词:MOS场效应管

英飞凌CoolMOSP7系列950 V CoolMOS P7超结MOS场效应管

950 V CoolMOS P7封装TO-252 DPAK+TO-220 FullPAK+TO-251 IPAK LL+SOT-223

 

低功率SMPS+更高密度高压MOS场效应管;

应用于:照明+智能电表+移动充电器+笔记本适配器+AUX电源和工业SMPS

全新半导体解决方案,可实现散热性能+能源效率,节约成本;

 

MOS场效应管950 V CoolMOS P7特点

1.DPAK导通电阻

2.更高密度设计

3.最低VGS(th)容差+VGS(th)

4.应用于驱动设计非常出色

5.集成齐纳二极管ESD保护机制

6.提高装配生产量

7.减少与ESD有关生产问题

8.950 V CoolMOS P7能使效率提升达1%

9.MOS场效应管温度降低2 ˚C~10 ˚C,实现高能效。

10.开关损耗降低58%

11.性能提升超过50%

12.节约成本

MOS场效应管950 V CoolMOS P7特点

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