MOS场效应管检测损耗，一般情况是人工计算，如PFC MOSFET开关损耗靠经验，要量化评估，应该如何检测。

 

功率损耗过程

如下图所示

 

 

MOS场效应管工作功率损耗：（导通+关闭）过程+导通状态（少量）

关闭状态损耗≈0

 

一般MOS场效应管周期不同，电压电流波形相同，整体功率损耗检测可取任一周期，

 

PFC MOS场效应管，周期不同，电压电流波形不同，功率损耗计算准确值，即要在 时间>10ms，高采样率波形捕获，可在1G采样率，需存储深度10M或以上，原始数据是不能抽样，但要列进去一起计算功率损耗，如下图所示。