NMOS场效应管怎么防止电源反接

如果电源反接，电路中的元器件将被损坏，可是电源反接在电路中是不可回避的问题，所以我们只能在电路中加入保护电路。

 

传统解决方案

电源正极串联二极管

因：二极管有压降，即有损耗，若电池供电场，电池使用时间减短。

 

MOS场效应管防反接

优势：小压降，可忽略；

如：过电流=1A   即压降=6.5毫伏

 

NMOS场效应管怎么防止电源反接电路如下所示：

接电，NMOS场效应管寄生二极管导通，S≈0.6V，G极电位VBAT  VBAT-0.6V>UGS阀值开启电压，MOS场效应管DS导通，内阻小，即寄生二极管短路，压降≈0。

电源反接：UGS=0，MOS管不导通，与负载回路断开，电路安全。

 

PMOS场效应管防止电源反接电路图

如下所示：

 

接电，元件寄生二极管导通，电源与负载形成回路，

S极电位VBAT-0.6V，G极电位=0V，PMOS导通，从D流向S电流把二极管短路。

电源反接：G极=高电平，PMOS场效应管不导通，电路安全。

 

注意事项：

NMOS场效应管DS串接负极，PMOS场效应管DS串接正极，寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向。