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- NMOS管与PMOS管的区别分析-MOS管知识-竟业电子
- 芯片硅基掺杂材质不同
N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道
P沟道MOS管：用空穴流作为载流子
P沟道MOS管是用空穴流作为载流子迁移率小，需要从栅极到源极的负电压(VGS)才能导通，是高边开关的理想器件。有助简化电路设计、减少体积，实现低压驱动。
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- MOS场效应管寄生二极管识别产生-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管判断寄生二极管规则：
N沟道：S极指向D极
P沟道：D极指向S极，二极管：独特的单向导电性，可想成电子版的逆止阀。
如何产生寄生二极管：
因生产工艺造成，大功率MOS场效应管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。
小功率MOS场效应管
集成芯片中MOS管是平面结构
漏极方向：从硅片上面与源极相同方向，无此二极管。
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- MOS场效应管保护电路时可能阻塞状态图解-竟业电子
- MOS场效应管保护电路时可能阻塞状态图解，若充电器使能前，接入电池，电池上拉MP1的栅极电压，MP1被停用。
充电器接通，产生受控电流，MP1接通MP2关断的可能性降低。
若：电池附联前，启用充电器，MP1栅极跟随电池充电器输出，
原因：它由泄放电阻器R2上拉
未接入电池，MP1没有接通和使MP2脱离运行状态的倾向。
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- 低边 MOS场效应管驱动电路构成及转换-竟业电子
- 输入端：Q3+外部共基极=电平转换电路
⑤：接受控制输入，它由MCU产生
输入3V数字量 转 12V数字量
Q1 Q2：互补射极输出器，它们不会同时导通短路电源
输出端：串电阻，避免意外
MOS场效应管从截止到导通时间 > 导通到截止
R1值减小，导通时间减小，但并不无限，因驱动源拉电流能力有限
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- MOS场效应管负载连接方式-MOS场效应管知识-竟业电子
- MOS场效应管负载连接方式
MOS场效应管的驱动负载，正确的方法是接在漏极D
如下图所示
左边电路：
G极电势=4v，S接地，电势=0v
Vgs=4v，MOSFET导通
Vd=0.075v，可看作似0。
右边电路：
右方接负载电路，无法带动负载，即MOSFET无法导通
原因：MOSFET导通，Vs≈Vd=24v，Vgs=Vg-Vs=-20v，MOSFET不导通.
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- PMOS-Nwell工艺特点分析接法-PMOS知识-竟业电子
- WLL工艺
PMOS衬底相同，即N-WELL
衬底与源极无法直接
原因：若通过衬底短接，影响PMOS其他特性，PMOS的衬底只接VDD高电位。
WELL工艺
NMOS管P衬底独立，衬底与源极相接，可减小衬偏效应。
工艺表现：元件衬底接触点
如，PMOS元件在工艺上剖面图
如下所示PMOS的衬底电位的接触点，CMOS工艺PMOS器件是做在Nwell里，PMOS的衬底guard ring使用的是NWring.
接法
在schematic原理图中搭建电路时，所有pmos的衬底需要接VDD，所有nmos的衬底需要接VSS
在layout版图中
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- 线性稳压电源工作原理电路图分析-线性稳压电源知识-竟业电子
- 从高电压Vs得到低电压Vo。
Vo经过两个分压电阻分压得到V+，V+被送入放大器的正端，而放大器即误差放大器的负端Vref是电源内部的参考电平，它是恒定的。
放大器输出Va连接到MOS场效应管栅极，控制MOS场效应管的阻抗
Va变大时，MOSFET的阻抗变大
Va变小时，MOSFET的阻抗变小
MOSFET上的压降将是Vs-Vo
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- 节型MOS管和PN节构成及特点-mos管知识-竟业电子
- 呈现正电：MOS管P型半导体中的多数载流子为空穴
呈现负电：MOS管N型半导体中的多数载流子为电子
PN节构成：当P型半导体和N型半导体吻合在一起时
多数载流子的扩散运动使得空穴从P型半导体流向N型半导体，使得电子从N型半导体流向P型半导体。进而在接触面附近形成空间电荷区，此区域内少子占优，
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