MOS场效应管加速关断可用变压器驱动电路 如下图所示 高边MOS场效应管驱动电路 变压器驱动器电路，为了能够驱动高边MOS管，但有时也用作为安全隔离。 R1作用：抑制PCB板上寄生电感，与C1形成LC振荡 设计作用：隔离直流，通过交流，避免磁芯饱和。

芯片最基本的组成单位CMOS CMOS由绝缘场效应晶体管组成， 因只有一种载流子，是一种单极型晶体管集成电路 基本结构：一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管。 两管栅极工作电压极性相反，将两管栅极相连作为输入端，两个漏极相连作为输出端，

反接保护电路如果用MOS场效应管组成，那么无反向电流保护。 如果MOS管导通，电流即可双向流动。 那么怎么解决防护反向电流 MOS管+比较器 PMOS与NMOS电路工作原理相同 用比较器检测MOS场效应管源漏极间的电压VDS 辨别电流方向，即可反接保护。

补充对过压及ESD 输入保护，自我保护利用MOS场效应管完全保护拓扑结构，过热和过流保护电路。 自我保护 MOSFET 可提供进一步的过流和过温保护。  防止过热解决办法：温度传感器和热关断电路 在 MOS场效应管 开启，处于活动状态，若超过阈值温度 175°C即触发，MOSFET关闭，电流被中断，不在散热，设备温度下降 10°C，内置迟滞允许输出自动重新打开。  

米勒钳位典型半桥 MOS场效应管栅极驱动器，当开启半桥的上侧 MOSFET即M2：OFF → ON，下开关两端会发生电压变化 VDS产生电流I_Miller，为下部 MOSFET 的寄生电容 C充电此电流流经→米勒电容→栅极电阻→ C GS 电容。较快的VDS 从低切换到高。

功耗主要由MOS场效应管和二极管产生。 损耗：传导损耗和开关损耗。 开关元件MOS场效应管和二极管，导通时电流流过回路。 元件导通 传导损耗：MOSFET的导通电阻(RDS(ON))和二极管的正向导通电压决定。

1，200-V 碳化硅 MOS场效应管 优势 1.高沟道迁移率 2.长氧化物寿命 3.高阈值电压稳定性 美国国家标准与技术研究院 （NIST） 的研究人员利用瞬态介质击穿 TDDB 等寿命加速技术，预测一家主要制造商的 SiC MOS 技术的氧化物寿命将超过 100 年，甚至结温高于 200°C。 注意 硅 MOS 中通常存在与温度相关的加速因子，但 NIST 研究人员尚未观察到 SiC MOS 的相同现象。 如下图所示 在 175°C 下进行的 HTGB 压力测试，具有正负 VGS

GaN 场效应管开关元件分类 增强模式 (e-GaN) ，级联耗尽模式 (d-GaN) e-GaN 场效应管 可作普通 MOSFET 工作，即使它的栅源电压降低了。 提供一个更简单封装，无体二极管低电阻，有双向通道。 它晶体管通常是关断的，在栅极加正电压导通。 无需负启动偏置：栅极上的偏置为零，关闭且不传导任何电流。 阈值 < 硅 MOSFE阈值。 提供低栅漏电容 CGD。

预测特定电源转换电路整体效率很复杂 原因：相互依赖性和变量很多。 Qorvo (UnitedSiC) 在线、免费 场效应管-Jet 计算器，它支持 SiC FET。 此计算器它可自主考虑参数，包括所有参数在内 应用者只要提供电源电路输出效率、温升和损耗水平- 指定的条件即可。 如：计算器功率 如下图所示 交错图腾柱 PFC 拓扑，图腾柱 PFC 级的轮廓电路 供电=230 VAC 额定功率= 6.6 kW 400 VDC 总线在“硬开关”连续导通模式下运行。

SiC场效应管是在SiC WBG技术最好的， Qorvo的一部分。 是 SiC场效应管 和硅 MO场效应管 的常关共源共栅组合， 品质因数FoM是所有竞争技术最佳 特定电压等级器件导通电阻 * 芯片面积=FOM RdsA 如下图所示 SiC场效应管品质因数 RdsA与竞争技术相比 SiC场效应管硬开关拓扑表现最佳因素：低损耗体二极管，快速开关。 如，OBC PFC 前端，图腾柱布置或有源前端，具有高效率和双向能力.