识别标示：

N管+P管+双N管+双P管+N+P管

识别方法：

型号末尾奇数是P管

型号末尾偶数是N管

规格书：N-Channel+P-Channel

电气符号的箭头方向

N管箭头指向栅极，P管相反

多个栅极，则需注意看每个箭头的方向

规格书VDS正负：正数=N或双N，负数=P或双P，一正一负=N+P

 

芯片材质

芯片硅基掺杂材质不同

N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道

P沟道MOS管：用空穴流作为载流子

 

P沟道MOS管是用空穴流作为载流子迁移率小，需要从栅极到源极的负电压(VGS)才能导通，是高边开关的理想器件。有助简化电路设计、减少体积，实现低压驱动。

N沟道MOS管中的电子流迁移率大，N沟道MOS管则需要正VGS电压，才能导通，

 

应用

N管：当一个MOS管接地，负载连接到干线电压上时，这个MOS管就构成低压侧开关。这时就要采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

P管：当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。这就要采用P沟道MOS管，这是考虑到电压驱动的原因。

 

价格

同等参数，P沟道MOS效应管价格更高

N沟道MOS管通过电子形成电流沟道，当MOS管被激活和导通时，电子通过电流移动，速度较P沟道MOS管速度快。

在相同的RDS(on)情况下，载流子的迁移率约为P沟道MOS管的2到3倍，而要实现相同的电流，P沟道芯片尺寸就要设计成N沟道MOS管的2到3倍大。因此从制造成本上，N沟道MOS管就要低于P沟道MOS管。因此，大电流应用通常首选N沟道的MOS管。